[发明专利]功率放大管的供电控制装置及其上电、下电控制方法

权利要求书

1.一种功率放大管的供电控制装置，其特征在于，包括：MCU模块，温度采样模块，电压DAC模块，电源模块，漏极供电控制模块；

所述温度采样模块用于采集功率放大管的工作温度，MCU模块根据所述工作温度获取负电压值对应的数字量，电压DAC模块将所述数字量转换为模拟电压供给功率放大管的栅极；其中，MCU模块分别通过电压DAC模块连接功率放大管的栅极，通过漏极供电控制模块连接功率放大管的漏极，以及通过温度采样模块连接功率放大管，所述电压DAC模块与功率放大管的栅极之间还连接运算放大器；

在向功率放大管的栅极供给模拟电压前，MCU模块通知漏极供电控制模块根据设定的上电时序控制电源模块供给相应电压至功率放大管的漏极；

在关闭功率放大管时，MCU模块首先通知漏极供电控制模块根据设定的下电时序控制电源模块供给相应电压至功率放大管的漏极，然后控制电压DAC模块输出最大的负电压供给功率放大管的栅极，关闭功率放大管的供电。

2.根据权利要求1所述的功率放大管的供电控制装置，其特征在于，MCU模块根据温度采样模块采集的工作温度，从预存的温度-负电压对照表中查找出功率放大管所需的负电压值。

3.根据权利要求1所述的功率放大管的供电控制装置，其特征在于，所述MCU模块，温度采样模块，电压DAC模块，漏极供电控制模块分别连接SPI总线。

4.根据权利要求1至3任一项所述的功率放大管的供电控制装置，其特征在于，所述功率放大管的数量至少为1个。

5.根据权利要求1所述的功率放大管的供电控制装置，其特征在于，所述功率放大管为GaN HEMT或GaAs功率放大管。

6.一种功率放大管的上电控制方法，基于权利要求1至5任一项所述的供电控制装置上实现，其特征在于，包括如下步骤：

S11，控制电压DAC模块输出0V电压至功率放大器的栅极，并控制电源模块输出0V电压至功率放大管的漏极；

S12，控制电压DAC模块的输出电压先达到功率放大器的栅极所需的最大电压值；

S13，控制电源模块的输出电压后达到功率放大器的漏极所需的电压值；

S14，确定功率放大器栅极的静流电压，并控制电压DAC模块输出所述静流电压；

S15，开启上变频信号开关，开启射频信号。

7.根据权利要求6所述的功率放大管的上电控制方法，其特征在于，还包括：

S16，判断是否需要改变功率放大器的栅极电压值；若是，返回执行S14，若否，执行S17；

S17，根据栅极电压的温度补偿控制电压DAC模块输出相应补偿电压值。

8.一种功率放大管的下电控制方法，基于权利要求1至5任一项所述的供电控制装置上实现，其特征在于，包括如下步骤：

S21，关闭上变频信号开关，断开射频信号；

S22，控制电压DAC模块的输出电压达到功率放大器的栅极所需的最大电压值；

S23，控制电源模块的输出电压先到达0V；

S24，控制电压DAC模块的输出电压后到达0V。

9.根据权利要求6至8任一项所述的功率放大管的上电控制方法或功率放大管的下电控制方法，所述最大电压值为-5V。