[发明专利]集成电路的背面金属化图形

说明书

发明背景

本发明涉及集成电路设备组件以及，更具体的，涉及晶圆切割或晶 圆锯单片化。

传统的集成电路(IC)制造是多步骤工艺，其中矩形管芯一起形成 在单个圆形半导体(例如，硅)晶圆上。当组件制造的沉积和去除步骤完成， 晶圆经历单片化，其中晶圆被切割以分开个体管芯。单片化的管芯随后可被安 装到相应的引线框架或衬底上并且用模制化合物封装以生成准备好安装到电路 板上的各个封装管芯。应注意，该IC器件组件一般包括第二单片化步骤，这是 因为通常多个单片化管芯安装在包含相应的多个连接的引线框架(或衬底)的 金属板上，多个管芯和相应的引线框架在封装过程中是同批次处理的，以生成 多个封装IC。该封装IC随后被单片化并彼此分开，例如使用金属穿孔切除引 线框架的外部以生成独立的封装IC。

准备好晶圆切割的晶圆通常在晶圆顶面具有管芯有源组件并且在底 面具有半导体衬底。晶圆切割可以包括晶圆减薄的初步步骤，有时也称为背面 研磨，其中底面是磨薄以制造更薄，更轻，更小的管芯。晶圆切割也可以包括 初步背面金属化步骤，其中整个底面在减薄以后切割以前涂敷金属。

背面金属化可用于为管芯建立电性导电接触和/或良好热传导接触。 背面金属化常见于功率器件中，如功率四方扁平无引脚(PQFN)器件，因为金 属是高热传导性的并且特别有助于散发热量。如它们的名称所表示的，PQFN 器件不具有向外突出引线。取而代之，该器件通过封装的底面和/或侧面的金属 焊垫(典型地使用焊球)安装并且连接到印刷电路板。

在切割之前，粘结带贴在晶圆背面以使得在晶圆切割期间保持管芯 在适当位置。通常使用晶圆锯切割晶圆。晶圆锯是窄的圆形研磨锯，其包括沿 其切割边缘嵌入的研磨砂砾，适用于切割晶圆。该晶圆锯沿锯通道(也称为划 线线条)的网格图形切割，其将晶圆上的管芯分开。晶圆锯的切割动作同时包 括研磨和由顶面下压。当晶圆锯切割穿过晶圆的大部分并接近底侧时，锯通道 上的剩余晶圆的厚度大幅减小并且，这与晶圆锯的下压结合，可能导致衬底底 部相比顶部的较大片的损坏和破裂。换言之，背面切割的严重程度通常比顶面 切割更差。背面切割带来的损坏可能随后导致管芯破裂并且，从而，如果管芯 随后充分挤压则器件故障。

通常，执行可视的或其他光学检查以确定任意特定管芯背面切割的程 度。但是，在具有背面金属化的晶圆中，难以可视化地确定背面切割的程度， 这是因为，尽管通过观察管芯侧看到裂纹线条是相对容易的，但在管芯底视图 中看到破裂深度通常是困难的。

附图说明

通过随后的详细说明，附加的权利要求，以及其中相似的附图标记 定义类似的或相同的元件的相应的附图，本发明的其他方面，特点，以及优点 可以更充分地显现。注意附图中的元件并不是按比例画出的。

图1显示根据本发明一个实施例的具有金属化背面的晶圆的底面视 图；

图2显示图1的细节区域，其中包括部分切割路径以及邻接管芯；

图3显示根据本发明另实施例的具有金属化背面的晶圆的底面视 图；

图4显示图3的细节区域；

图5显示根据本发明又实施例的具有金属化背面的晶圆的底面视 图；

图6显示图5的细节区域，其中包括部分切割路径，完整管芯以及 部分管芯；

图7显示了图1的经过晶圆切割的单片化管芯的底面视图。

详细说明

在此公开本发明具体的展示实施例。但是，在此公开的特定的结构 以及功能细节仅仅是用于描述本发明示例实施例的代表。本发明的实施例可能 具体化为多个替代形式并且不应解释为仅仅限定于在此提出的实施例。进一步， 此处使用的术语仅用于描述具体实施例的目的并不意味限定本发明的示例实施 例。

如在此使用的，单数形式“一个(a，an)”以及“该”意思是也包括复 数形式，除非上下文明确指出别的形式。进一步理解，术语“包括”，“具有”和／ 或“包含”指定固定特征，步骤，或组件的出现，但不排除一个或多个其他特征， 步骤，或组件的出现或增加。同样应注意，在一些替代执行过程中，注明(noted) 的功能/效果可能不以图中注明的顺序产生。