[发明专利]集成电路的背面金属化图形

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有顶面和相反的背面的半导体管芯，其中形成在所述管芯上的多个器件 组件在所述顶面处被暴露，其中所述管芯的背面包括：

位于沿着所述管芯的外围的外围无金属化区域；以及

金属化区域，包括金属层，位于所述外围无金属化区域之内。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

引线框架，其中：

所述管芯安装在所述引线框架上；并且

所述管芯以及所述引线框架由模制化合物封装。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述半导体器件是功率四方扁 平无引脚PQFN封装。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述外围无金属化区域宽度为 2+/-1密耳。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述管芯背面具有第一矩形形状；

所述金属化区域具有比所述第一矩形形状小的第二矩形形状；

所述管芯背面以及所述金属化区域是同心的；并且

所述外围无金属化区域包括所述管芯背面和所述金属化区域之间的区域。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述管芯包括半导体衬底；以及

所述无金属化区域包括暴露的半导体衬底。

7.一种组装半导体器件的方法，所述方法包括：

在具有顶面和相反的底面的半导体晶圆上形成多个管芯，其中所述管芯的 器件组件在管芯的顶面上被暴露，并且所述多个管芯设置为阵列并且由规则网 格图形的多个线状切割路径分开；以及

将金属化层应用到所述晶圆背面，其中每个切割路径包括：

线状锯通道，为晶圆锯指示路径用于切割晶圆以生成多个单片化的管 芯；以及

平行于锯通道的背面金属化层中的第一无金属化区域。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一无金属化区域与所述锯通道 是同延的。

9.根据权利要求7所述的方法，其中每个切割路径进一步包括：

切割路径金属化区域，位于所述锯通道的边界之内，其中所述第一无金属 化区域位于所述切割路径金属化区域的第一侧；以及

第二无金属化区域位于所述切割路径金属化区域的第二侧。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述锯通道位于所述第一无金属化 区域内并窄于所述第一无金属化区域，以使所述第一无金属化区域的第一和第 二侧都延伸超过所述锯通道的相应的第一和第二侧。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一无金属化区域的第一和第 二侧都延伸超过所述锯通道的相应的第一和第二侧至少1密耳。

12.根据权利要求7所述的方法，其中：

多个管芯的阵列包括多个完整管芯和多个部分管芯；以及

所述金属化层包括非邻接金属化区域的阵列，其中每个完整管芯和每个部 分管芯都具有金属化区域。

13.根据权利要求7所述的方法，其中：

多个管芯的阵列包括多个完整管芯和多个部分管芯；

所述金属化层包括非邻接金属化区域的阵列，其中每个完整管芯具有金属 化区域；以及

每个部分管芯的背面没有被金属化。

14.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

使用晶圆锯沿着所述锯通道切割所述晶圆以生成多个单片化管芯。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：

光学检查所述多个单片化管芯由所述切割导致的背面破损。

16.根据权利更求14所述的方法，进一步包括：

将一个或多个单片化管芯组装为一个或多个IC封装。