[发明专利]一种存储器单元结构

权利要求书

1.一种存储器单元结构，其特征在于，所述存储器单元结构包括：

一SOI晶圆，包括一底部衬底和位于底部衬底之上的掩埋层及包括掩埋层上方的半导体层；

包含有半浮栅的栅极结构，所述栅极结构设置于所述半导体层的上方；

其中，所述半导体层中设置有第一掺杂区、第二掺杂区、沟道区和反型掺杂区，且该半浮栅与所述反型掺杂区接触。

2.如权利要求1所述的存储器单元结构，其特征在于，所述栅极结构还包括第一栅氧层、第二栅氧层和栅极；

所述第一栅氧层覆盖所述沟道区，所述半浮栅覆盖所述第一栅氧层的表面，且该半浮栅的一端与所述反型掺杂区接触，所述第二栅氧层覆盖所述半浮栅的表面及部分所述第二掺杂区的表面，所述栅极位于所述第二栅氧层的上表面，所述存储器单元结构内嵌TFET。

3.如权利要求2所述的存储器单元结构，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区中均设置有轻掺杂区和重掺杂区；所述第一掺杂区的重掺杂区为源极，所述第二掺杂区的重掺杂区为漏极；

所述第一栅氧层覆盖所述第一掺杂区中重掺杂的部分表面并延伸至所述反型掺杂区的部分表面，而所述半浮栅覆盖所述第二掺杂区中所述反型掺杂区所在的所述半导体层的部分表面；所述第二栅氧层覆盖所述第二掺杂区中重掺杂区的所述半导体层部分表面。

4.如权利要求3所述的存储器单元结构，其特征在于，所述存储器单元结构为N型，即所述源极和所述漏极为N型掺杂，所述半浮栅为P+型掺杂，所述N型掺杂的漏极与所述P+型掺杂的半浮栅的接触面为PN结，所述半浮栅是由所述PN结形成的。

5.如权利要求3所述的存储器单元结构，其特征在于，所述存储器单元结构为P型，即所述源极和所述漏极为P型掺杂，所述半浮栅为N+型掺杂，所述P型掺杂的漏极与所述N+型掺杂的半浮栅的接触面为PN结，所述半浮栅是由所述PN结形成的。