[发明专利]衬底处理系统、半导体器件的制造方法及存储介质

权利要求书

1.一种衬底处理系统，其特征在于，具有：

收纳衬底的多个处理室；

向多个所述处理室依次供给处理气体的处理气体供给系统；

向多个所述处理室依次供给被活化的反应气体的反应气体供给系统；

设在所述处理气体供给系统中的缓冲容器；和

控制部，以向多个所述处理室分别交替地供给所述处理气体和所述反应气体的方式，控制所述处理气体供给系统和所述反应气体供给系统，使得向多个所述处理室中的任意一个供给反应气体的时间，成为向多个所述处理室中的任意一个供给处理气体的时间与向所述缓冲容器供给处理气体的时间的合计时间。

2.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于，所述控制部控制所述处理气体供给系统，使得在所述处理气体的供给停止之后向所述缓冲容器供给处理气体。

3.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其特征在于，设有向多个所述处理室供给净化气体的净化气体供给系统，

所述控制部控制所述处理气体供给系统和所述净化气体供给系统，使得在向所述缓冲容器供给了处理气体之后向所述衬底供给净化气体。

4.根据权利要求3所述的衬底处理系统，其特征在于，多个所述处理室分别具有喷头，

所述控制部控制所述处理气体供给系统和所述净化气体供给系统，使得在向所述缓冲容器供给处理气体的过程中进行喷头的净化。

5.根据权利要求4所述的衬底处理系统，其特征在于，在多个所述处理室内分别设有排出处理室的环境气体的第一排气部，

所述控制部控制所述处理气体供给系统、所述反应气体供给系统、和所述第一排气部，使得向多个所述处理室的各处理室内进行所述处理气体的供给与所述反应气体的供给之间使所述处理室内净化。

6.根据权利要求5所述的衬底处理系统，其特征在于，在所述喷头上具有排出所述喷头内的环境气体的第二排气部，

所述控制部控制所述处理气体供给系统、所述反应气体供给系统、和所述第二排气部，使得在所述处理气体的供给与所述反应气体的供给之间使所述喷头内净化。

7.根据权利要求6所述的衬底处理系统，其特征在于，所述控制部控制所述第一排气部和所述第二排气部，使得在所述喷头的净化之后进行所述处理室内的净化。

8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有如下工序：

以第一规定时间向多个处理室的各处理室依次供给处理气体的工序；

以第二规定时间向设在与所述各处理室连接的气体供给管上的缓冲容器供给处理气体的工序；

以所述第一规定时间与所述第二规定时间的合计时间向多个所述处理室的各处理室依次供给被活化的反应气体的工序；和

交替地供给所述处理气体和所述反应气体的工序。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述处理气体的供给停止之后，向所述缓冲容器供给处理气体。

10.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，具有在向所述缓冲容器供给了处理气体之后，向收纳于多个所述处理室的衬底供给净化气体的工序。

11.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述各处理室内分别设有喷头，

在向所述缓冲容器供给处理气体的过程中或者供给之后，开始进行所述喷头内的净化的工序。

12.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述各处理室内分别设有喷头，

在向所述缓冲容器供给处理气体的过程中或者供给之后，并在向所述衬底供给净化气体之前，开始进行所述喷头内的净化的工序。

13.一种存储介质，其特征在于，存储有使计算机执行如下步骤的程序：

以第一规定时间向多个处理室的各处理室依次供给处理气体的步骤；

以第二规定时间向设在与所述各处理室连接的气体供给管上的缓冲容器供给处理气体的步骤；

以所述第一规定时间与所述第二规定时间的合计时间向多个所述处理室的各处理室依次供给被活化的反应气体的步骤；和

交替地供给所述处理气体和所述反应气体的步骤。