[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小，功耗低，无辐射等特点，近年来得到迅速发展，在当前的平板显示器市场中占据主导地位。

TFT-LCD的主体结构为液晶面板，液晶面板包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，以及填充在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层。阵列基板上形成有数据线和栅线，以及由数据线和栅线限定的多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管（Thin Film Transistor，简称TFT）和像素电极。TFT的栅电极与栅线电性连接，源电极与数据线电性连接，漏电极与像素电极电性连接。其中，栅电极与栅线由同一栅金属膜层形成，源电极、漏电极与数据线由同一源漏电极膜层形成。液晶面板还包括公共电极，与像素电极之间产生驱动液晶分子偏转的电场。TFT-LCD的显示原理为：通过栅线驱动电路依次向每行栅线输入扫描信号，逐行打开每一行的TFT。当某行的TFT为打开状态时，通过数据线驱动电路向每列数据线输入像素电压，并通过源电极将该像素电压施加到像素电极上，从而控制公共电极与像素电极之间产生驱动电场，驱动液晶分子偏转，实现一定灰阶的显示。

现有技术中，为了降低像素电压在传输过程中的损耗，源漏电极金属通常采用铜Cu，以降低数据线的电阻。但是Cu很容易发生氧化，如果在漏电极制作完成之后，再制作像素电极，会在漏电极的表面形成氧化铜，导致漏电极与像素电极的电性连接不良，造成像素单元显示不良，严重影响显示品质。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制造方法，用以解决在漏电极制作完成之后，再制作像素电极时，漏电极的表面会形成氧化铜，导致漏电极与像素电极的电性连接不良，造成像素单元显示不良，严重影响显示品质的问题。

本发明还提供一种显示装置，采用上述的阵列基板，提高了产品的显示品质。

为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板，包括数据线和栅线，以及由数据线和栅线限定的多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述像素电极与所述漏电极电性连接，其中，所述漏电极包括源漏金属层和抗氧化的导电层，所述像素电极与所述抗氧化的导电层电性接触。

本发明还提供一种显示装置，采用如上所述的阵列基板。

本发明还提供一种阵列基板的制造方法，包括：

在一衬底基板上形成源漏电极膜层，对所述源漏电极膜层进行构图工艺，形成数据线、薄膜晶体管的源电极和漏电极；

在所述衬底基板上形成第一透明导电膜层，对所述第一透明导电膜层进行构图工艺，形成像素电极，其中，制作薄膜晶体管的漏电极的步骤还包括：

形成抗氧化的导电膜层，对所述抗氧化的导电膜层进行构图工艺，形成抗氧化的导电层，所述像素电极与所述抗氧化的导电层电性接触。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

上述技术方案中，当薄膜晶体管的漏电极为容易被氧化的源漏金属时，通过设置薄膜晶体管的漏电极包括源漏金属层和抗氧化的导电层，所述像素电极与所述抗氧化的导电层电性接触，实现电性连接，可以保证像素电极和漏电极的电性连接良好，提高显示器的显示品质。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1表示本发明实施例中阵列基板的结构示意图；

图2表示图1沿A-A方向的剖视图；

图3-图6表示本发明实施例中阵列基板的制备过程示意图。

具体实施方式

现有技术中当薄膜晶体管阵列基板的数据线采用容易被氧化的源漏金属（如：铜），特别的，当在通过一次构图工艺形成漏电极后，再在漏电极上方通过另一次构图工艺形成像素电极时，会在与数据线采用同一源漏电极膜层形成的漏电极的表面形成金属氧化物，导致漏电极与像素电极的电性连接不良。本发明针对上述问题，提供一种阵列基板及其制造方法，通过设置薄膜晶体管的漏电极包括源漏金属层和抗氧化的导电层，所述像素电极与所述抗氧化的导电层电性接触，实现电性连接，从而可以保证像素电极和漏电极的电性连接良好，提高显示器的显示品质。

此处的电性接触包括：