[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括数据线和栅线，以及由数据线和栅线限定的多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏电极电性连接，其特征在于，

所述漏电极包括源漏金属层和抗氧化的导电层，所述像素电极与所述抗氧化的导电层电性接触。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漏电极中，所述源漏金属层搭接在所述抗氧化导电层的上方，露出部分所述抗氧化的导电层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极搭接在所述漏电极的源漏金属层和抗氧化的导电层的上方。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极，所述公共电极包括多个狭缝，位于所述像素电极上方，所述公共电极和像素电极之间形成有钝化层。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源电极包括源漏金属层和抗氧化的导电层；

所述数据线包括源漏金属层和抗氧化的导电层。

6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏金属层的材料为铜。

7.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述抗氧化的导电层的材料为MoNb、MoW或MoTi中的一种或多种。

8.一种显示装置，采用权利要求1-7任一项所述的阵列基板。

9.一种阵列基板的制造方法，包括：

在一衬底基板上形成源漏电极膜层，对所述源漏电极膜层进行构图工艺，形成数据线、薄膜晶体管的源电极和漏电极；

在形成有所述数据线、源电极和漏电极的所述衬底基板上形成第一透明导电膜层，对所述第一透明导电膜层进行构图工艺，形成像素电极，其特征在于，制作所述薄膜晶体管的漏电极的步骤还包括：

形成抗氧化的导电膜层，对所述抗氧化的导电膜层进行构图工艺，形成抗氧化的导电层，所述像素电极与所述抗氧化的导电层电性接触。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述漏电极中，所述源漏金属层搭接在所述抗氧化导电层的上方，露出部分所述抗氧化导电层。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，形成数据线、薄膜晶体管的源电极和漏电极的步骤包括：

在所述衬底基板上依次形成抗氧化的导电膜层和源漏电极膜层；

在所述源漏金属层上涂覆光刻胶；

采用灰色调或半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶不保留区域，其中，光刻胶完全保留区域至少对应漏电极的源漏金属层、数据线和源电极所在的区域，光刻胶半保留区域至少对应漏电极中露出的部分抗氧化的导电层所在的区域，光刻胶不保留区域对应其他区域；

刻蚀掉光刻胶不保留区域的抗氧化的导电膜层和源漏电极膜层；

通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，并刻蚀掉光刻胶半保留区域的源漏电极膜层；

剥离剩余的光刻胶，形成数据线、薄膜晶体管的源电极和漏电极。

12.根据权利要求9-11任一项所述的制造方法，其特征在于，所述形成所述像素电极的步骤之后还包括：

在形成有所述像素电极的衬底基板上形成钝化层；

在形成有所述钝化层的衬底基板上形成第二透明导电膜层；

对所述第二透明导电膜层进行构图工艺，形成公共电极，其中，所述公共电极包括多个狭缝。

13.根据权利要求9-11任一项所述的制造方法，其特征在于，所述形成所述数据线、所述源电极和所述漏电极的步骤之前还包括：

在所述衬底基板上形成栅金属膜层，对所述栅金属膜层进行构图工艺，形成栅线和薄膜晶体管的栅电极；

在所述栅电极和栅线上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成有源层膜层，对所述有源层膜层进行构图工艺，形成有源层；

在所述有源层上形成刻蚀阻挡层膜层，对所述刻蚀阻挡层膜层进行构图工艺，在对应所述薄膜晶体管的源电极和漏电极对应的部分形成过孔，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极通过所述过孔与所述有源层电连接。