[发明专利]一种阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode，OLED）显示器的制造技术，特别涉及一种阵列基板的制造方法，用于制造OLED显示器的薄膜场效应晶体管（Thin Film Transistor，TFT）阵列基板。

背景技术

近年来，显示技术得到快速的发展，平板显示器已取代笨重的CRT 显示器日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示器包括液晶显示器LCD(Liquid Crystal Display) 和有机发光二极管OLED(Organic Light-Emitting Diode) 显示器。上述平板显示器具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。平板显示器的阵列基板上，每一个像素配备了用于控制该像素的开关，即薄膜场效应晶体管（Thin Film Transistor，TFT），TFT 至少包含栅电极，源、漏极以及栅绝缘层和有源层。通过驱动电路可以独立控制每一个像素，同时不会对其他像素造成串扰等的影响。

传统的高分辨率OLED通常采用低温多晶硅（Low Temperature Poly-silicon，LTPS）阵列基板，而LTPS阵列基板通常采用9到13道光罩工艺，工艺流程较为复杂。

而对于适用于低分辨率面板的非晶硅（a-Si）阵列基板，如果还采用如LTPS阵列基板通常采用9到13道光罩工艺，不但工艺流程复杂，而且成本高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供阵列基板的制造方法，适用于制造低分辨率OLED显示面板的a-Si阵列基板，可以减少掩膜板的使用量，从而降低生产成本。

为了解决上述技术问题，本发明的实施例的一方面提供了一种阵列基板的制造方法，用于制造低分辨率的OLED面板的非晶硅阵列基板，包括如下步骤：

在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成栅极金属层和像素电极图案，所述第一道光罩工艺为半调式光罩工艺；

采用第二道光罩工艺，形成栅极绝缘层、半导体层图案，所述第二道光罩工艺为半调式光罩工艺；

采用第三道光罩工艺，形成源/漏极金属层和沟道；

采用第四道光罩工艺，形成钝化层。

其中，所述在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成栅极金属层和像素电极图案的步骤包括：

在所述玻璃基板上沉积预定厚度的像素电极层以及栅极金属层，并涂覆光刻胶；

采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；

然后对栅金属层进行第一次湿刻，对像素电极层进行湿刻，并去除部份光刻胶；然后对栅金属层进行第二次湿刻并剥离相应光刻胶，形成栅极金属层和像素电极图案。

其中，所述在玻璃基板沉积预定厚度的像素电极层以及栅极金属层的步骤具体为：

采用溅射或热蒸发的方法在所述玻璃基板上沉积厚度为1000 ? ~6000?的栅金属薄膜，以及沉积厚度为100~1000?的ITO像素电极层或IZO像素电极层。

其中，所述采用第二道光罩工艺，形成栅极绝缘层、半导体层图案的步骤包括：

在形成有栅极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度的栅绝缘层以及半导体层薄膜，并涂覆光刻胶；

采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；

然后对位于沟道上的绝缘保护层进行干刻以及对半导体层进行第一次干刻，去除部份光刻胶；然后对半导体层进行第二次干刻，并剥离相应光刻胶，形成栅极绝缘层和半导体层图案。

其中，所述在形成有栅极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度的栅绝缘层以及半导体层薄膜的步骤具体为：

采用化学气相沉积方法，在所述形成有栅极金属层和像素电极图案的玻璃基板上依次沉积厚度为2000 ? ~5000?的栅绝缘层、厚度为1000 ? ~3000?的半导体层薄膜。

其中，所述采用第三道光罩工艺，形成源/漏极金属层和沟道的步骤包括：

在所述形成有形成栅极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚度的源漏金属薄膜，并涂覆光刻胶；

采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源漏金属层薄膜进行湿刻，对沟道进行干刻，并剥离相应的光刻胶，形成源极金属层、漏极金属层和沟道。

其中，所述在形成有形成栅极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚度的源漏金属薄膜的步骤具体为：

采用磁控溅射或热蒸发方法，沉积厚度为1000 ? ~6000?的源漏金属薄膜。

其中，所述通过第四道光罩工艺，形成钝化层的步骤包括：