[发明专利]一种阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，用于制造低分辨率的OLED面板的非晶硅阵列基板，其特征在于，包括如下步骤：

在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成栅极金属层和像素电极图案，所述第一道光罩工艺为半调式光罩工艺；

采用第二道光罩工艺，形成栅极绝缘层、半导体层图案，所述第二道光罩工艺为半调式光罩工艺；

采用第三道光罩工艺，形成源/漏极金属层和沟道；

采用第四道光罩工艺，形成钝化层。

2.如权利要求1的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成栅极金属层和像素电极图案的步骤包括：

在所述玻璃基板上沉积预定厚度的像素电极层以及栅极金属层，并涂覆光刻胶；

采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；

然后对栅金属层进行第一次湿刻，对像素电极层进行湿刻，并去除部份光刻胶；然后对栅金属层进行第二次湿刻并剥离相应光刻胶，形成栅极金属层和像素电极图案。

3.如权利要求2所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在玻璃基板沉积预定厚度的像素电极层以及栅极金属层的步骤具体为：

采用溅射或热蒸发的方法在所述玻璃基板上沉积厚度为1000 ? ~6000?的栅金属薄膜，以及沉积厚度为100~1000?的ITO像素电极层或IZO像素电极层。

4.如权利要求3所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述采用第二道光罩工艺，形成栅极绝缘层、半导体层图案的步骤包括：

在形成有栅极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度的栅绝缘层以及半导体层薄膜，并涂覆光刻胶；

采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影案；

然后对位于沟道上的绝缘保护层进行干刻以及对半导体层进行第一次干刻，去除部份光刻胶；然后对半导体层进行第二次干刻，并剥离相应光刻胶，形成栅极绝缘层和半导体层图案。

5.如权利要求4所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成有栅极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度的栅绝缘层以及半导体层薄膜的步骤具体为：

采用化学气相沉积方法，在所述形成有栅极金属层和像素电极图案的玻璃基板上依次沉积厚度为2000 ? ~5000?的栅绝缘层、厚度为1000 ? ~3000?的半导体层薄膜。

6.如权利要求5所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述采用第三道光罩工艺，形成源/漏极金属层和沟道的步骤包括：

在所述形成有形成栅极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚度的源漏金属薄膜，并涂覆光刻胶；

采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源漏金属层薄膜进行湿刻，对沟道进行干刻，并剥离相应的光刻胶，形成源极金属层、漏极金属层和沟道。

7.如权利要求6所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成有形成栅极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚度的源漏金属薄膜的步骤具体为：

采用磁控溅射或热蒸发方法，沉积厚度为1000 ? ~6000?的源漏金属薄膜。

8.如权利要求7所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述通过第四道光罩工艺，形成钝化层的步骤包括：

在所述形成有源源极金属层、漏极金属层和沟道的玻璃基板上沉积一层钝化层，并涂覆光刻胶；

采用第四道光罩工艺进行曝光显影、干刻，形成钝化层图形；

并剥离相应光刻胶。

9.如权利要求8所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述形成有源源极金属层、漏极金属层和沟道的玻璃基板上沉积一层钝化层的步骤具体为：

在形成有源源极金属层、漏极金属层和沟道的玻璃基板上通过化学气相沉淀法沉积一层厚度为1000~3000?的钝化层。

10.如权利要求1-9任一项所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，

所述化学气相沉淀法为等离子体增强化学气相沉淀法，所述栅绝缘层和钝化层采用SiNx，所述半导体层薄膜为非晶硅a-Si半导体薄膜。