[发明专利]一种适用于培养NK细胞的无血清培养基无效
申请号: | 201410118900.6 | 申请日: | 2014-03-27 |
公开(公告)号: | CN103849600A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 叶永清 | 申请(专利权)人: | 叶永清 |
主分类号: | C12N5/0783 | 分类号: | C12N5/0783 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 350000 福建省福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 培养 nk 细胞 血清 培养基 | ||
1.一种适用于培养NK细胞的无血清培养基,其特征在于:由基础培养基组份I、NK细胞特异性培养组份II以及水组成,其中,所述基础培养基组份I是由以下浓度的组分组成的:
无水氯化钙28~33.82mg/L,i-肌醇13~19mg/L,L-酪氨酸4~5.9mg/L,L-蛋氨酸3~5mg/L,L-缬氨酸6~13.7mg/L,L-苯丙氨酸4~7mg/L,D-葡萄糖1789~1802mg/L,盐酸吡哆醇(维生素B6)0.055~0.066mg/L,次黄嘌呤3~5mg/L,L-丝氨酸7~15mg/L,氯化钠7200~7599mg/L,核黄素0.022~0.048mg/L,亚油酸0.077~0.094mg/L,L-苏氨酸10~13.9mg/L,磷酸氢二钠120~149mg/L,盐酸硫胺0.22~0.34mg/L,硫辛酸0.12~0.29mg/L,L-天门冬酰胺7~18.01mg/L,L-精氨酸盐酸盐198~213mg/L,L-天门冬氨酸6~19.3mg/L,1,4-丁二胺二盐酸盐0.11~0.19mg/L,L-半胱氨酸盐酸盐22~39.12mg/L,L-谷氨酰胺113~149mg/L,L-谷氨酸2~17.7mg/L,丙酮酸钠100~110mg/L,氯化胆碱12~13.99mg/L,甘氨酸6~8mg/L,L-亮氨酸11~13.4mg/L,维生素H0.004~0.008mg/L,L-赖氨酸盐酸盐34~39.5mg/L,L-组氨酸盐酸盐9~25mg/L,L-脯氨酸25~34.5mg/L;
所述NK细胞特异性培养组份II是由以下浓度的组分组成的:
表皮生长因子1~100mg/L,CD16单抗20~100mg/L,神经生长因子1~10mg/L,IL-2120~100mg/L,成纤维素细胞生长因子1~100mg/L,IL-1850~150mg/L,卵泡刺激因子50~500mg/L,IL-1250~500mg/L,CD3单抗50~500mg/L,CD125单抗50~500mg/L。
2.根据权利要求1所述的适用于培养NK细胞的无血清培养基,其特征在于:所述基础培养基组份I是由以下浓度的组分组成的:无水氯化钙29mg/L,i-肌醇15mg/L,L-酪氨酸4.5mg/L,L-蛋氨酸4mg/L,L-缬氨酸13.5mg/L,L-苯丙氨酸6mg/L,D-葡萄糖1800mg/L,盐酸吡哆醇0.055mg/L,次黄嘌呤5mg/L,L-丝氨酸8mg/L,氯化钠7500mg/L,核黄素0.028mg/L,亚油酸0.079mg/L,L-苏氨酸13mg/L,磷酸氢二钠135mg/L,盐酸硫胺0.25mg/L,硫辛酸0.19mg/L,L-天门冬酰胺14.4mg/L,L-精氨酸盐酸盐200mg/L,L-天门冬氨酸13.5mg/L,1,4-丁二胺二盐酸盐0.18mg/L,L-半胱氨酸盐酸盐29mg/L,L-谷氨酰胺124mg/L,L-谷氨酸13.9mg/L,丙酮酸钠105mg/L,氯化胆碱12.9mg/L,甘氨酸7mg/L,L-亮氨酸13.4mg/L,维生素H0.005mg/L,L-赖氨酸盐酸盐37.5mg/L,L-组氨酸盐酸盐14mg/L,L-脯氨酸25.6mg/L;
所述NK细胞特异性培养组份II是由以下浓度的组分组成的:
表皮生长因子50mg/L,CD16单抗70mg/L,神经生长因子10mg/L,IL-2160mg/L,成纤维素细胞生长因子50mg/L,IL-1850mg/L,卵泡刺激因子150mg/L,IL-12100mg/L,CD3单抗100mg/L,CD125单抗100mg/L。
3.权利要求1或2所述的适用于培养NK细胞的无血清培养基的制备方法,其特征在于:步骤如下:
(1)取组份I的各原料,混合混匀,在60℃真空下干燥15小时,备用;取组份II的各原料,在30℃真空下干燥18小时,混合混匀,备用;
(2)将上述干燥后的组份I和组份II混合,针磨3个小时,过30目筛,得固态粉末,加水,混匀,0.2μm滤膜过滤,即得适用于培养γδT细胞的无血清培养基。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中,针磨生产过程中,温度控制在20~25℃,湿度控制在15~20%,氮气压力控制在150~300psi。
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