[发明专利]晶圆良率监测方法有效
| 申请号： | 201410118221.9 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103855050A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡恩静 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆良率 监测 方法 | ||
1.一种芯片良率测试方法，包括以下步骤：
步骤S1：通过设计规则检查查找芯片版图中违反设计规则的图形结构；
步骤S2：将所述违反设计规则的图形结构分为多个类别并根据各所述类别中违反设计规则的图形结构的数量选取其中至少一个类别；
步骤S3：对选取的所述类别的图形结构评估其可造成的制程缺陷；
步骤S4：针对评估的所述制程缺陷设计相应的监测结构；以及
步骤S5：通过所述监测结构对芯片良率进行测试。
2.根据权利要求1所述的良率监测方法，其特征在于，步骤S2中根据违反的所述设计规则的类型和/或所述图形结构的类型将所述违反设计规则的图形结构分为多个类别。
3.根据权利要求2所述的良率监测方法，其特征在于，所述设计规则的类型包括图形结构的间距、图形结构的线宽、不同层的图形结构的光刻对准度。
4.根据权利要求1所述的良率监测方法，其特征在于，所述图形结构的类型包括有源区的图形结构、多晶硅层的图形结构、接触孔的图形结构检测结构以及位于有源区和多晶硅层间的中间层的图形结构。
5.根据权利要求4所述的良率监测方法，其特征在于，所述监测结构设置于晶圆的切割道上。
6.根据权利要求1所述的良率监测方法，其特征在于，所述监测结构包括测试引脚以及测试结构，所述测试结构具有与该监测结构所对应的违反设计规则的图形结构及其周边的图形结构相同的图形结构。
7.根据权利要求1所述的良率监测方法，其特征在于，若步骤S3中对于选取的所述类别的图形结构，评估其造成的制程缺陷为多个，则步骤S4中针对每一个所述制程缺陷设计相应的监测结构。
8.根据权利要求1所述的良率监测方法，其特征在于，所述监测结构的版图设计为正方形，其边长为20～30um。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
