[发明专利]一种制备栅介质层的设备无效
| 申请号： | 201410118214.9 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103855035A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张红伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 介质 设备 | ||
1.一种制备栅介质层的设备，其特征在于，包括：
热处理工艺腔，用于生长SiO2栅介质层；
等离子体氮化工艺腔，用于向所述栅介质层中进行等离子体氮注入从而形成Si-N键；
高温氮化处理腔，用于修复所述栅介质层中的晶格损伤和稳定所述Si-N键；
低温氧化处理腔，用于修复栅介质层/沟道界面；
控制单元，用于控制所述半导体衬底在各个所述工艺腔之间的转换以及各个所述工艺腔的启闭；
输运装置，用于在各个所述工艺腔之间输送所述半导体衬底。
2.根据权利要求1所述的制备栅介质层的设备，其特征在于，所述控制单元包括输运控制单元和工艺腔控制单元。
3.根据权利要求1所述的制备栅介质层的设备，其特征在于，所述输运装置具有触发装置，所述触发装置用于接收所述控制单元所发出的开始输送的信号以及感应所述半导体衬底到达所述工艺腔内时向所述控制单元发送输送完毕的信号。
4.根据权利要求1所述的制备栅介质层的设备，其特征在于，所述热处理工艺腔为快速热退火工艺腔和/或垂直炉管工艺腔。
5.根据权利要求4所述的制备栅介质层的设备，其特征在于，所述快速热退火工艺腔为原位水蒸气氧化工艺腔和/或快速热氧化工艺腔。
6.根据权利要求1所述的制备栅介质层的设备，其特征在于，所述等离子体氮化腔为去耦等离子体氮化工艺腔、和/或远程等离子体氮化工艺腔、和/或垂直扩散设备的氮化工艺腔。
7.根据权利要求1所述的制备栅介质层的设备，其特征在于，高温氮化处理腔为快速热退火工艺腔。
8.根据权利要求1所述的制备栅介质层的设备，其特征在于，所述低温氧化处理腔为快速热退火工艺腔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
