[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 

S1、在衬底上形成数据线金属层，通过构图工艺形成包括数据线的图形； 

S2、在形成有数据线的衬底上形成半导体层，通过构图工艺形成包括有源层的图形，其中，所述数据线与所述有源层连接。 

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括： 

在形成有数据线的衬底上，采用分子束淀积法或低压化学气相沉积法沉积多晶硅层； 

或使用低压化学气相沉积法或等离子体增强化学气相沉积法沉积非晶硅层，然后使用激光激化形成多晶硅层； 

对所述多晶硅层进行构图工艺形成包括有源层的图形； 

对所述有源层通过掺杂工艺形成沟道区、源极区和漏极区，其中，所述源极区和漏极区分别位于所述沟道区的两侧，所述数据线与所述源极区连接。 

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述S1步骤中，在衬底上通过构图工艺同时形成包括数据线和用于遮挡所述沟道区的遮挡层的图形。 

4.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述S2步骤之前还包括：在形成有数据线的衬底上形成缓冲层，通过构图工艺在所述缓冲层中形成连接所述数据线和所述有源层中的待形成的源极区的过孔。 

5.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述S2步骤之后还包括： 

S3、在形成所述有源层的衬底上形成栅绝缘层和导电金属层，通过构图工艺形成包括栅线的图形，其中，所述栅线与所述有源层在所述衬底的投影方向上的重叠区域对应所述沟道区。 

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述S3步骤之后还包括： 

S4、在形成有所述栅线的衬底上形成层间绝缘层和平坦层，通过构图工艺形成贯穿所述栅绝缘层、层间绝缘层和平坦层的过孔以用于连接所述漏极区与第一透明电极； 

S5、在形成有所述层间绝缘层和所述平坦层的衬底上形成第一透明导电层，通过构图工艺形成包括第一透明电极的图形； 

S6、在形成有所述第一透明电极的衬底上形成钝化层和第二透明导电层，通过构图工艺形成包括第二透明电极的图形。 

7.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述S3步骤后还包括： 

S4、在形成有所述栅线的衬底上形成层间绝缘层、平坦层和第一透明导电层，通过构图工艺形成包括第一透明电极的图形； 

S5、在形成有所述第一透明电极的衬底上形成钝化层，通过构图工艺形成贯穿所述栅绝缘层、层间绝缘层、所述平坦层和所述钝化层的过孔以用于连接所述漏极区和第二透明电极； 

S6、在形成有所述钝化层的衬底上形成第二透明导电层，通过构图工艺形成包括第二透明电极的图形。 

8.根据权利要求6或7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一透明电极为板状电极，所述第二透明电极为狭缝状电极。 

9.一种阵列基板，其特征在于，包括数据线和有源层，所述数据线位于有源层下方，所述数据线与所述有源层连接。 

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括遮挡所述有源层导通时所形成的沟道区的遮挡层的图形，所述遮挡层位于所述有源层下方。 

11.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述数据线和所述有源层之间，所述缓冲层中形成有连接所述数据线和所述有源层的过孔。 

12.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层为低温多晶硅层，所述低温多晶硅层包括沟道区、源极区和漏极区，其中，所述源极区和漏极区分别位于所述沟道区的两侧，所述数据线与所述源极区连接。 

13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述有源层上方的栅绝缘层和栅线，所述栅线与所述有源层在所述衬底的投影方向上的重叠区域对应所述沟道区。