[发明专利]局部高密度基底布线有效
| 申请号: | 201410116450.7 | 申请日: | 2014-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN104952838B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
| 发明(设计)人: | R·斯塔克斯托恩;D·马利克;J·S·居泽尔;C-P·秋;D·库尔卡尼;R·V·马哈詹 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 舒雄文;蹇炜 |
| 地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 局部 高密度 基底 布线 | ||
1.一种半导体设备,包括:
介质,所述介质中包含低密度互连布线;
第一传导粘合剂和第二传导粘合剂;
在基底上的金属焊盘;
互连元件,所述互连元件通过第三粘合剂连接到所述金属焊盘,所述互连元件中包含高密度布线,所述互连元件包含多个导电部件,所述多个导电部件中的导电部件电耦合至所述第一传导粘合剂和所述第二传导粘合剂;
其中所述第一传导粘合剂电耦合至第一焊盘,所述第一焊盘在所述互连元件的顶表面上或至少部分地在所述互连元件的所述顶表面中,所述第一焊盘被定位于所述第一传导粘合剂和所述导电部件的第一端之间;
其中所述第一焊盘包括大于所述第一传导粘合剂的覆盖区面积的覆盖区面积;并且
其中所述金属焊盘能够用作用于消融通过所述第三粘合剂的激光的阻止层,以便阻止激光贯穿至所述基底。
2.根据权利要求1所述的设备,包括:
第一管芯,所述第一管芯电耦合至所述第一传导粘合剂,所述第一管芯在所述介质之上;以及
第二管芯,所述第二管芯电耦合至所述第二传导粘合剂,所述第二管芯在所述介质之上。
3.根据权利要求2所述的设备,其中:
所述第一管芯是逻辑管芯;并且
所述第二管芯是存储器管芯。
4.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一传导粘合剂是第一导电焊料,并且所述第二传导粘合剂是第二导电焊料。
5.根据权利要求4所述的设备,其中,所述第二导电焊料电耦合至第二焊盘,所述第二焊盘在所述互连元件的所述顶表面上或至少部分地在所述互连元件的所述顶表面中,所述第二焊盘被定位于所述第二导电焊料和所述导电部件的第二端之间。
6.一种制造半导体设备的方法,包括:
使用第一粘合剂将互连管芯连接到基底上的金属焊盘,所述互连管芯包含导电部件;
将第一导电粘合剂和第二导电粘合剂电耦合至所述导电部件,其中电耦合所述第一导电粘合剂和所述第二导电粘合剂包括将第一焊料和第二焊料电耦合至所述导电部件,并且其中所述导电部件之间的间隙小于位于所述基底的间隙;以及
将第一焊盘定位于所述互连管芯的顶表面上或至少部分地在所述互连管芯的所述顶表面中,并且将所述第一焊盘定位于(1)所述第一导电粘合剂和(2)所述导电部件的第一端之间,其中电耦合所述第一焊料和第二焊料包括将所述第一焊料电耦合至所述第一焊盘,并且其中所述第一焊盘包括大于所述第一导电粘合剂的覆盖区面积的覆盖区面积,并且
其中所述金属焊盘能够用作用于消融通过所述第一粘合剂的激光的阻止层,以便阻止激光贯穿至所述基底。
7.根据权利要求6所述的方法,包括:
将第一管芯定位于所述基底之上;
将所述第一管芯电耦合至所述第一导电粘合剂;
将第二管芯定位于所述基底之上;以及
将所述第二管芯电耦合至所述第二导电粘合剂。
8.根据权利要求7所述的方法,其中:
将所述第一管芯定位于所述基底之上包含将逻辑管芯定位于所述基底之上;并且
将所述第二管芯定位于所述基底之上包含将存储器管芯定位于所述基底之上。
9.根据权利要求6所述的方法,包括将所述第一焊盘定位于(1)所述第一焊料和(2)所述导电部件的第一端之间。
10.根据权利要求9所述的方法,包括将第二焊盘定位于所述互连管芯的顶表面上或至少部分地定位于所述互连管芯的所述顶表面中,将所述第二焊盘定位于(1)所述第二焊料和(2)所述导电部件的第二端之间;并且
其中,电耦合所述第一焊料和所述第二焊料包含将所述第二焊料电耦合至所述第二焊盘。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410116450.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:功率半导体组件
- 下一篇:伸缩性挠性基板及其制造方法





