[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法有效

专利信息
申请号: 201410113773.0 申请日: 2014-03-25
公开(公告)号: CN104143509B 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 西崎展弘;针贝笃史;岩井哲博;广岛满 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 樊建中
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子 处理 装置 以及 方法
【说明书】:

本发明提供一种等离子处理装置以及等离子处理方法,使得即使在实施等离子处理的情况下保持片也不会受到不良影响。具备:在室(11)内产生等离子的等离子源(13);设置于室(11)内且载置输送载体(5)的台(16);配置于台(16)的上方且覆盖保持片(6)和框(7),具有在厚度方向上贯通地形成的窗部(33)的盖子(31);和将盖子(31)相对于台(16)的相对位置变更为第1位置和第2位置的驱动机构(38)。第2位置是盖子(31)与保持片(6)、框(7)、以及基板(2)不接触的位置。盖子(31)至少具备向框(7)的上表面延伸的顶面(36b)、和相对于在框(7)的内径侧露出的保持片(6)的上表面逐渐接近地倾斜的倾斜面(36c)。

技术领域

本发明涉及等离子处理装置以及等离子处理方法,尤其涉及对由环状框和保持片构成的输送载体所保持的晶片的等离子处理有效的技术。

背景技术

作为等离子处理装置,已知专利文献1公开的等离子处理装置。该等离子处理装置,将由环状框和保持片构成的输送载体所保持的晶片作为处理对象。而且,在用等离子对晶片进行切割时,通过用遮盖物覆盖环状框,使得环状框不暴露在等离子中。

在先技术文献

专利文献

专利文献1:JP特开2012-248741号公报

发明内容

发明要解决的课题

近年来,出于生产率提高的要求,存在为了提高处理速度而提高等离子密度等的倾向。在专利文献1记载的装置中,若要提高处理速度,则遮盖物被等离子加热而成为设想以上的高温。于是,产生了如下问题:受到来自遮盖物的热影响的输送载体的保持片发生变形、收缩、熔融等而难以通过机械手来输送。

因此,本发明的课题在于,提供一种即使在对由环状框和保持片构成的输送载体所保持的晶片实施等离子处理的情况下,保持片也不会受到不良影响的等离子处理装置以及等离子处理方法。

解决课题的手段

本发明的一个方式,

是一种等离子处理装置,其对由环状的框和保持片构成的输送载体所保持的基板实施等离子处理,所述等离子处理装置的特征在于,

具备:

室,其具有能够减压的内部空间;

等离子源,其在所述室内产生等离子;

台,其设置于所述室内并载置所述输送载体;

盖子,其配置于所述台的上方并覆盖所述保持片和所述框,具有在厚度方向上贯通地形成的窗部;和

驱动机构,其将所述盖子相对于所述台的相对位置,变更为第1位置和第2位置,其中所述第1位置是离开所述台并容许所述输送载体相对于所述台的装卸的位置,所述第2位置是所述盖子覆盖在所述台上载置的所述输送载体的所述保持片和所述框、且所述窗部使保持于所述保持片的所述基板露出的位置,

所述第2位置是所述盖子与所述保持片、所述框、以及所述基板不接触的位置,

所述盖子至少具备:顶面,其向所述框的上表面延伸;和倾斜面,其相对于在所述框的内径侧露出的保持片的上表面逐渐接近地倾斜。

根据该构成,能够充分获得盖子与输送载体的距离,能够抑制等离子对保持片的热影响。

优选的是,所述盖子的所述顶面与所述框的上表面之间的间隔,比构成所述窗部的内周缘下部与所述保护片之间的间隔更大。

根据该构成,能够充分获得盖子与输送载体的距离,并且防止等离子从窗部进入到在盖子与输送载体之间形成的空间,能够有效地阻止保持片的变形等。

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