[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法

权利要求书

1.一种等离子处理装置，其对由保持片和在所述保持片的外周缘附近的粘着面贴着的环状的框构成的输送载体所保持的基板实施等离子处理，所述等离子处理装置的特征在于，

具备：

室，其具有能够减压的内部空间；

等离子源，其在所述室内产生等离子；

台，其设置于所述室内并载置所述输送载体，并且所述台具备电极部和包围所述电极部的封装部；

盖子，其配置于所述台的上方并覆盖所述保持片和所述框，具有在厚度方向上贯通地形成的窗部；和

驱动机构，其将所述盖子相对于所述台的相对位置，变更为第1位置和第2位置，其中所述第1位置是离开所述台并容许所述输送载体相对于所述台的装卸的位置，所述第2位置是所述盖子覆盖在所述台上载置的所述输送载体的所述保持片和所述框、且所述窗部使保持于所述保持片的所述基板露出的位置，

所述第2位置是所述盖子与所述保持片、所述框、以及所述基板不接触的位置，

所述盖子的下表面至少具备：最外周部；内周面，其从所述最外周部的内周缘向上方延伸；顶面，其从所述内周面的上端向着所述框的内周部上方侧与所述框的上表面平行地延伸；倾斜面，其与所述顶面连续设置，且相对于在所述框的内径侧露出的保持片的上表面逐渐接近地倾斜并且向斜下方延伸，

所述盖子的所述最外周部在所述第2位置与所述封装部抵接。

2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述盖子的所述顶面与所述框的上表面之间的间隔，比构成所述窗部的内周缘下部与所述保持片之间的间隔更大。

3.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述盖子，在比所述顶面更靠近内径侧的区域，具备向着所述窗部逐渐接近所述输送载体的上表面。

4.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述盖子具备与所述倾斜面连续，且与所述输送载体最接近地平行延伸的对置面。

5.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述盖子的窗部，使所述基板的比外缘区域更靠内侧的区域露出。

6.一种等离子处理方法，是对由保持片和在所述保持片的外周缘附近的粘着面贴着的环状的框构成的输送载体所保持的基板实施等离子处理的等离子处理方法，所述等离子处理方法的特征在于，

在具有能够减压的内部空间的室内的台上载置输送载体，其中所述台具备电极部和包围所述电极部的封装部，

通过具有在厚度方向上贯通地形成的窗部的盖子来覆盖在所述台上载置的所述输送载体的所述保持片和所述框的上方，并且使所述保持片上的基板从所述窗部露出，

在所述盖子覆盖所述保持片和所述框的状态下，在所述内部空间产生等离子，并对从所述窗部露出的基板进行等离子处理，

所述盖子的下表面至少具备：最外周部；内周面，其从所述最外周部的内周缘向上方延伸；顶面，其从所述内周面的上端向着所述框的内周部上方侧与所述框的上表面平行地延伸；倾斜面，其与所述顶面连续设置，且相对于在所述框的内径侧露出的保持片的上表面逐渐接近地倾斜并且向斜下方延伸，至少在进行等离子处理的过程中，所述盖子与所述保持片、所述框、以及所述基板不接触，且至少在进行等离子处理的过程中，所述盖子的所述最外周部与所述封装部抵接。