[发明专利]彩膜基板及其制作方法、显示装置无效
| 申请号： | 201410112809.3 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103926743A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 谷新;铃木照晃;秦广奎;金起满;鹿岛美纪;杨亚锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1335 | 分类号： | G02F1/1335 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 彩膜基板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种彩膜基板，包括：基板、设置在所述基板上的黑矩阵和透明导电层，其特征在于，所述彩膜基板满足下述中的至少一项：
所述透明导电层的上方设置有透明介质层，所述透明介质层的折射率为1.5～2.0，厚度为600～1000埃；或者，
所述透明导电层的下方设置有透明介质层，所述透明介质层的折射率为1.5～2.0，厚度为600～1000埃；或者，
所述黑矩阵远离彩膜基板对盒面的一侧设置有介质层，所述介质层的折射率为1.5～2.0，厚度为600～1000埃。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，
所述透明介质层的厚度、折射率的取值，或者所述介质层的厚度、折射率的取值均经过优化，使得远离彩膜基板对盒面一侧的入射光的反射率最小。
3.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述透明介质层和/或所述介质层为：氮化硅层。
4.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，
所述透明导电层的材质为氧化铟锡，厚度为400埃；
所述透明介质层的材质为氮化硅，厚度为800埃。
5.根据权利要求3或4所述的彩膜基板，其特征在于，
所述介质层的材质为氮化硅，厚度为800埃。
6.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述介质层形成有与所述黑矩阵相同的图案。
7.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，
所述透明导电层设置在所述基板远离对盒面的一侧，所述黑矩阵设置在所述基板靠近对盒面的一侧。
8.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-7任意一项所述的彩膜基板。
9.一种彩膜基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上依次形成第一透明介质层、透明导电层和第二透明介质层；
在所述基板不存在膜层的另一侧形成介质层，然后在所述介质层上形成黑矩阵；
进行刻蚀，在所述介质层形成与所述黑矩阵相同的图案。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，
所述第一透明介质层、所述第二透明介质层均为氮化硅层，且厚度均为800埃；
所述介质层为氮化硅层，厚度为800埃。
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