[发明专利]供体基板无效
| 申请号： | 201410111915.X | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN104112760A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 权宁吉;林亨泽 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 供体 | ||
1.一种供体基板，包括：
基体层，具有第一表面和第二表面；
补充硬度层，在基体层的第一表面上；和
转印层，在补充硬度层上，
光热转换层，在补充硬度层和转印层之间，
一个或多个开口图案，形成在补充硬度层中，
其中，补充硬度层的硬度大于基体层的硬度。
2.如权利要求1所述的供体基板，其中，补充硬度层的硬度是0.15GPa至3GPa。
3.如权利要求2所述的供体基板，其中，补充硬度层含有丙烯酸树脂或醇酸树脂。
4.如权利要求1所述的供体基板，其中，开口图案的水平剖面形状是多边形、圆形、半圆形或这些形状的组合中的任一个。
5.如权利要求1所述的供体基板，其中，开口图案中的至少一个在与转印层将被转印至的转印区域对应的部分中。
6.一种供体基板，包括：
基体层，具有第一表面和第二表面；
转印层，在基体层的第一表面上；和
补充硬度层，在基体层的第二表面上，
光热转换层，在基体层和转印层之间，
一个或多个开口图案，形成在补充硬度层中，
其中，补充硬度层的硬度大于基体层的硬度。
7.如权利要求6所述的供体基板，其中，补充硬度层的硬度是0.15GPa至3GPa。
8.如权利要求6所述的供体基板，其中，补充硬度层含有丙烯酸树脂或醇酸树脂。
9.如权利要求6所述的供体基板，其中，开口图案中的至少一个在与转印层将被转印至的转印区域对应的部分中。
10.如权利要求6所述的供体基板，其中，开口图案的水平剖面形状是多边形、圆形、半圆形或这些形状的组合中的任一个。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
