[发明专利]供体基板无效
| 申请号: | 201410111915.X | 申请日: | 2014-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN104112760A | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
| 发明(设计)人: | 权宁吉;林亨泽 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰;刘灿强 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 供体 | ||
技术领域
实施例涉及供体基板、制造有机发光显示装置的方法和使用该方法制造的有机发光显示装置。
背景技术
通常,有机发光元件包括像素电极、共电极以及设置在像素电极和共电极之间的有机层。有机层至少包括发光层(EML),并且还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。在有机发光元件中,通过像素电极和共电极产生的空穴和电子可以在有机层中(具体地,在EML中)复合,形成激发子。当激发子的能级从激发态变为基态时,EML可以发射与变化的能级对应的颜色的光。
发明内容
实施例涉及一种供体基板,所述供体基板包括:基体层,具有第一表面和第二表面;补充硬度层,在基体层的第一表面上;和转印层,在补充硬度层上。补充硬度层的硬度大于基体层的硬度。
补充硬度层的硬度可以是大约0.15GPa至大约3GPa。
补充硬度层可以含有丙烯酸树脂或醇酸树脂。
供体基板还可以包括位于补充硬度层和转印层之间的光热转换层。
供体基板还可以包括形成在补充硬度层中的一个或多个开口图案。
开口图案的水平剖面形状可以是多边形、圆形、半圆形或这些形状的组合中的任一个,多边形包括三角形、四边形、五边形和六边形等。
光热转换层可以覆盖补充硬度层和开口图案。
供体基板还可以包括位于补充硬度层和基体层之间的光热转换层。
供体基板还可以包括形成在补充硬度层中的一个或多个开口图案。
开口图案中的至少一个可以在与转印层将被转印至的转印区域对应的部分中。
开口图案的水平剖面形状可以是多边形、圆形、半圆形或这些形状的组合中的任一个,多边形包括三角形、四边形、五边形和六边形等。
转印层可以覆盖补充硬度层和开口图案。
实施例还涉及一种供体基板,所述供体基板包括:基体层,具有第一表面和第二表面;转印层,在基体层的第一表面上;和补充硬度层,在基体层的第二表面上。补充硬度层的硬度大于基体层的硬度。
补充硬度层的硬度可以是大约0.15GPa至大约3GPa。
补充硬度层可以含有丙烯酸树脂或醇酸树脂。
供体基板还可以包括位于基体层和转印层之间的光热转换层。
供体基板还可以包括形成在补充硬度层中的一个或多个开口图案。
开口图案中的至少一个可以在与转印层将被转印至的转印区域对应的部分中。
开口图案的水平剖面形状可以是多边形、圆形、半圆形或这些形状的组合中的任一个,多边形包括三角形、四边形、五边形和六边形等。
实施例还涉及一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括:提供基板,所述基板包括像素限定层和通过像素限定层暴露的第一电极;将供体基板放置在基板上,其中,供体基板包括基体层、设置在基体层的第一表面上的光热转换层、转印层和设置在基体层和转印层之间或者设置在基体层的第二表面上的补充硬度层;通过用激光束照射供体基板将转印层转印到第一电极上,从而在第一电极上形成有机层。补充硬度层的硬度大于基体层的硬度。
补充硬度层的硬度可以是大约0.15GPa至大约3GPa。
所述方法还可以包括在有机层上形成第二电极。
实施例还涉及一种有机发光元件,所述有机发光元件包括:基板,包括多个像素;第一电极,在基板上的多个像素的各像素中;像素限定层,在各像素的边界部分处;一个或多个突出图案,在像素限定层上;有机层,在第一电极上;第二电极,覆盖有机层和像素限定层。有机层图案形成在突出图案的每个上。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例,对于本领域的技术人员而言,特征将变得清楚,其中:
图1示出根据实施例的彼此分开的供体基板和有机发光显示元件的透视图;
图2示出图1中示出的供体基板的剖视图;
图3示出图1中示出的供体基板的另一个实施例的剖视图;
图4示出图1中示出的供体基板的另一个实施例的剖视图;
图5示出图1中示出的供体基板的另一个实施例的剖视图;
图6示出图1中示出的供体基板的另一个实施例的剖视图;
图7示出图1中示出的供体基板的另一个实施例的剖视图;
图8示出彼此分开的图7的供体基板和有机发光显示元件的透视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





