[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410111827.X | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN104952714B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 邵群 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有伪栅极结构，在所述伪栅极结构的两侧形成有侧壁结构；
形成覆盖所述伪栅极结构和所述侧壁结构的层间介电层，并执行化学机械研磨直至露出所述伪栅极结构的顶部；
去除所述伪栅极结构，在形成的沟槽中形成高k-金属栅极结构；
执行化学机械研磨直至露出所述层间介电层；
去除位于所述层间介电层上的金属残留物，其中，所述去除金属残留物的步骤包括：形成覆盖所述高k-金属栅极结构区域的图案化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，实施回蚀刻以去除所述金属残留物；去除所述光刻胶层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用灰化工艺去除所述光刻胶层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层中的开口的宽度大于0.2微米。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述回蚀刻为干法蚀刻或者湿法蚀刻，且所述回蚀刻对所述金属残留物和所述层间介电层的构成材料的蚀刻选择比大于5:1。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述伪栅极结构包括自下而上层叠的牺牲栅介电层和牺牲栅电极层，所述高k-金属栅极结构包括自下而上堆叠而成的界面层、高k介电层、覆盖层、阻挡层、功函数设定金属层、浸润层和金属栅极材料层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述金属残留物之后，还包括形成另一层间介电层的步骤，以覆盖所述高k-金属栅极结构。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述另一层间介电层的厚度大于500埃。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述另一层间介电层之后，还包括下述步骤：执行化学机械研磨以研磨所述另一层间介电层，以使其表面平整；形成分别连通所述高k-金属栅极结构和所述半导体器件的源/漏区的接触塞。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410111827.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：将半导体封装连接到板的方法
- 下一篇：一种双重图形及半导体器件结构的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
