[发明专利]选择性外延生长工艺的前处理方法及半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201410111349.2 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103943494A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 高剑琴;周海锋;谭俊 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 选择性 外延 生长 工艺 处理 方法 半导体器件 制造 | ||
1.一种选择性外延生长工艺的前处理方法，其特征在于，包括：
采用含卤素的气体对半导体衬底表面进行处理。
2.如权利要求1所述的一种选择性外延生长工艺的前处理方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。
3.如权利要求1所述的一种选择性外延生长工艺的前处理方法，其特征在于，所述采用含卤素的气体对半导体衬底表面进行处理过程中，去除半导体衬底表面的表层。
4.如权利要求1所述的一种选择性外延生长工艺的前处理方法，其特征在于，所述含卤素的气体是指氯化氢气体、氯气、氟化氢气体中之一与氢气的混合气体。
5.如权利要求1所述的一种选择性外延生长工艺的前处理方法，其特征在于，所述含卤素的气体是指氯化氢气体、氯气或氟化氢气体。
6.如权利要求1所述的一种选择性外延生长工艺的前处理方法，其特征在于，还包括：在750～830度温度下，采用氢气烘烤所述半导体衬底。
7.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底中形成浅沟槽隔离；
在所述半导体衬底上形成栅极结构；
在所述栅极结构两侧的半导体衬底中进行蚀刻形成开口；
采用氢氟酸溶液去除所述半导体衬底表面的自然氧化层；
采用含卤素的气体对所述半导体衬底表面进行处理；
采用选择性外延生长工艺在所述开口中生长薄膜。
8.如权利要求7所述的一种半导体器件制造方法，其特征在于，采用含卤素的气体对所述半导体衬底表面进行处理之前或之后，还包括：采用氢气对所述半导体衬底进行烘烤。
9.如权利要求7所述的一种半导体器件制造方法，其特征在于，采用选择性外延生长工艺在所述开口中生长薄膜之后，还包括：对所述半导体衬底进行离子注入。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
