[发明专利]镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及荧光粉领域，尤其涉及一种镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉及其制备方。

背景技术

OLED的全称Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管。它有很多的优势，其组件结构简单，生产成本便宜，自发光的特性，加上OLED的反应时间短，更有可弯曲的特性，让它的应用范围极广。但由于目前得到稳定高效的OLED蓝光材料比较困难，极大的限制了白光OLED器件及光源行业的发展。

上转换荧光材料能够在长波（如红外）辐射激发下发射出可见光，甚至紫外光，在光纤通讯技术、纤维放大器、三维立体显示、生物分子荧光标识、红外辐射探测等领域具有广泛的应用前景。但制备成荧光粉应用于OLED的领域，仍鲜见报道。

发明内容

基于上述问题，本发明所要解决的问题在于提供一种镨掺杂的镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉。

本发明的技术方案如下：

一种镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉的制备方法，包括如下步骤：

（1）、按照结构通式M₂Y₈(GeO₄)₆S₂:xPr³⁺中各元素的化学计量比，称取MS，Y₂O₃，GeO₂和Pr₂O₃粉体；

（2）、将步骤（1）中的粉体混合后研磨20～60分钟，得到均匀的前驱体粉料；

（3）把步骤（2）中的前驱体粉末放入马弗炉中以800～1000℃灼烧0.5～5小时；

（4）然后冷却到100～500℃，保温0.5～3小时，随炉冷却到室温，研磨煅烧材料，即得到结构通式为M₂Y₈(GeO₄)₆S:xPr³⁺的镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉；其中，M₂Y₈(GeO₄)₆S是基质，M选自Mg,Ca,Sr或Ba，Pr³⁺是掺杂激活元素，在薄膜中充当发光离子中心，x的取值为0.05～0.12。

所述镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉的制备方法中，优选，将步骤（2）中的粉体研磨40分钟。

所述镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉的制备方法中，优选，步骤（3）中，把步骤（2）中的前驱体粉末放入马弗炉中以950℃灼烧3小时。

所述镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉的制备方法中，优选，步骤（4），冷却到250℃，保温2小时，随炉冷却到室温，研磨煅烧材料。

所述镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉的制备方法中，优选，M₂Y₈(GeO₄)₆S:xPr³⁺中，x的取值为0.08.

本发明还提供一钟采用上述方法制得的镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉。

本发明制备的镨掺杂锗酸硫钇M₂Y₈(GeO₄)₆S:xPr³⁺上转换荧光粉，可实现由红外至绿光的长波辐射激发出蓝光短波发光，发光波长为483nm的蓝光发光峰对应的是Pr³⁺离子³P₀→³H₄的跃迁辐射发光。因此，该荧光粉可弥补目前显示和发光材料中蓝光材料的不足。

另外，制备的方法简单，成本低廉适用于生产化，反应过程无工业三废，属绿色环保，低能耗，高效益产业。

附图说明

图1为实施例1制得的镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉的光致发光光谱图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步说明