[发明专利]镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉及其制备方法在审
| 申请号: | 201410110069.X | 申请日: | 2014-03-21 |
| 公开(公告)号: | CN104927861A | 公开(公告)日: | 2015-09-23 |
| 发明(设计)人: | 周明杰;陈吉星;王平;冯小明 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号: | C09K11/84 | 分类号: | C09K11/84 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 掺杂 锗酸硫钇上 转换 荧光粉 及其 制备 方法 | ||
1.一种镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)、按照结构通式M2Y8(GeO4)6S2:xPr3+中各元素的化学计量比,称取MS,Y2O3,GeO2和Pr2O3粉体;
(2)、将步骤(1)中的粉体混合后研磨20~60分钟,得到均匀的前驱体粉料;
(3)把步骤(2)中的前驱体粉末放入马弗炉中以800~1000℃灼烧0.5~5小时;
(4)然后冷却到100~500℃,保温0.5~3小时,随炉冷却到室温,研磨煅烧材料,即得到结构通式为M2Y8(GeO4)6S:xPr3+的镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉;其中,M2Y8(GeO4)6S是基质,M选自Mg,Ca,Sr或Ba,Pr3+是掺杂激活元素,在薄膜中充当发光离子中心,x的取值为0.05~0.12。
2.根据权利要求1所述的镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉的制备方法,其特征在于,将步骤(2)中的粉体研磨40分钟。
3.根据权利要求1所述的镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,把步骤(2)中的前驱体粉末放入马弗炉中以950℃灼烧3小时。
4.根据权利要求1所述的镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉的制备方法,其特征在于,步骤(4),冷却到250℃,保温2小时,随炉冷却到室温,研磨煅烧材料。
5.根据权利要求1所述的镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉的制备方法,其特征在于,M2Y8(GeO4)6S:xPr3+中,x的取值为0.08。
6.一种采用权利要求1所述方法制得的镨掺杂锗酸硫钇上转换荧光粉。
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