[发明专利]监控栅极漏电的测试结构和测试方法在审
申请号: | 201410109815.3 | 申请日: | 2014-03-24 |
公开(公告)号: | CN103871924A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 陈强 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 监控 栅极 漏电 测试 结构 方法 | ||
1.一种监控栅极漏电的测试结构,用于监测栅极漏电现象,所述结构包括:梳状结构的栅极和梳状结构的自对准层,所述栅极和自对准层交错排列,且两者之间相互隔离。
2.如权利要求1所述的监控栅极漏电的测试结构,其特征在于,所述结构还包括通孔连线,所述通孔连线分别形成于所述栅极和自对准层上。
3.如权利要求2所述的监控栅极漏电的测试结构,其特征在于,所述结构还包括第一金属连线和第二金属连线,所述第一金属连线通过所述通孔连线与所述栅极相连,所述第二金属连线通过所述通孔连线与所述自对准层相连。
4.如权利要求3所述的监控栅极漏电的测试结构,其特征在于,所述结构还包括第一测试盘和第二测试盘,所述第一测试盘与所述第一金属连线相连,所述第二测试盘与所述第二金属连线相连。
5.如权利要求1所述的监控栅极漏电的测试结构,其特征在于,所述结构还包括介质层,所述介质层形成于所述栅极和自对准层之间。
6.如权利要求1所述的监控栅极漏电的测试结构,其特征在于,所述栅极和自对准层之间保持的间距符合工艺规则下最小间距的要求。
7.一种监控栅极漏电的测试方法,采用如权利要求1至6中任意一种测试结构,所述测试方法包括:
在所述栅极和自对准层之间逐渐增加电压,测试所述栅极和自对准层之间的电流值;
根据所述电流值判断所述栅极和自对准层之间是否存在漏电现象。
8.一种监控栅极漏电的测试方法,采用如权利要求1至6中任意一种测试结构,所述测试方法包括:
在所述栅极和自对准层之间施加恒定电压,测试所述栅极和自对准层之间电流随时间的变化;
根据电流随时间判断的情况判断所述栅极和自对准层之间是否存在漏电现象。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造