[发明专利]监控栅极漏电的测试结构和测试方法在审

专利信息
申请号: 201410109815.3 申请日: 2014-03-24
公开(公告)号: CN103871924A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 陈强 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 王宏婧
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 监控 栅极 漏电 测试 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种监控栅极漏电的测试结构,用于监测栅极漏电现象,所述结构包括:梳状结构的栅极和梳状结构的自对准层,所述栅极和自对准层交错排列,且两者之间相互隔离。

2.如权利要求1所述的监控栅极漏电的测试结构,其特征在于,所述结构还包括通孔连线,所述通孔连线分别形成于所述栅极和自对准层上。

3.如权利要求2所述的监控栅极漏电的测试结构,其特征在于,所述结构还包括第一金属连线和第二金属连线,所述第一金属连线通过所述通孔连线与所述栅极相连,所述第二金属连线通过所述通孔连线与所述自对准层相连。

4.如权利要求3所述的监控栅极漏电的测试结构,其特征在于,所述结构还包括第一测试盘和第二测试盘,所述第一测试盘与所述第一金属连线相连,所述第二测试盘与所述第二金属连线相连。

5.如权利要求1所述的监控栅极漏电的测试结构,其特征在于,所述结构还包括介质层,所述介质层形成于所述栅极和自对准层之间。

6.如权利要求1所述的监控栅极漏电的测试结构,其特征在于,所述栅极和自对准层之间保持的间距符合工艺规则下最小间距的要求。

7.一种监控栅极漏电的测试方法,采用如权利要求1至6中任意一种测试结构,所述测试方法包括:

在所述栅极和自对准层之间逐渐增加电压,测试所述栅极和自对准层之间的电流值;

根据所述电流值判断所述栅极和自对准层之间是否存在漏电现象。

8.一种监控栅极漏电的测试方法,采用如权利要求1至6中任意一种测试结构,所述测试方法包括:

在所述栅极和自对准层之间施加恒定电压,测试所述栅极和自对准层之间电流随时间的变化;

根据电流随时间判断的情况判断所述栅极和自对准层之间是否存在漏电现象。

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