[发明专利]层叠型半导体元件的制造方法、层叠型半导体元件及其制造装置

权利要求书

1.一种层叠型半导体元件的制造方法，其具备下述步骤：

层叠膜形成步骤，其具有下述工序：氧化硅膜形成工序，使用三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、六甲基二硅氮烷和二乙基硅烷中的任一种在半导体基板上形成氧化硅膜；和氮化硅膜形成工序，在通过所述氧化硅膜形成工序形成的所述氧化硅膜上形成氮化硅膜，重复多次所述氧化硅膜形成工序和所述氮化硅膜形成工序，在所述半导体基板上形成交替配置多个所述氧化硅膜与多个所述氮化硅膜的层叠膜；

氮化硅膜蚀刻步骤，将构成所述层叠膜的所述氮化硅膜进行蚀刻；

降低碳浓度的步骤，将所述氮化硅膜蚀刻步骤中没有被蚀刻的所述氧化硅膜中的碳去除而降低碳浓度；以及

电极形成步骤，在所述氮化硅膜蚀刻步骤中被蚀刻的区域形成电极。

2.根据权利要求1所述的层叠型半导体元件的制造方法，其中，在所述降低碳浓度的步骤中，对于所述氧化硅膜供给氢气和氧气。

3.根据权利要求1所述的层叠型半导体元件的制造方法，其中，在所述层叠型半导体元件的形状处理之后实施所述降低碳浓度的步骤。

4.一种层叠型半导体元件，其通过权利要求1所述的层叠型半导体元件的制造方法制造。

5.一种层叠型半导体元件的制造装置，其具备：

氧化硅膜形成用气体供给单元，向容纳有多枚半导体基板的反应室内供给三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、六甲基二硅氮烷和二乙基硅烷中的任一种作为处理气体；

氮化硅膜形成用气体供给单元，向所述反应室内供给氮化硅膜形成用气体；

处理气体供给单元，向所述反应室内供给降低氧化硅膜中的碳浓度的处理气体；以及

控制单元，控制装置的各部分，

所述控制单元实施下述步骤：

形成层叠膜的步骤，重复多次下述工序从而在所述半导体基板上形成交替配置多个氧化硅膜和多个氮化硅膜的层叠膜：通过控制所述氧化硅膜形成用气体供给单元，向所述反应室内供给所述处理气体，在所述半导体基板上形成氧化硅膜的工序；以及，通过控制所述氮化硅膜形成用气体供给单元，向所述反应室内供给氮化硅膜形成用气体，在所述氧化硅膜上形成氮化硅膜的工序；

降低碳浓度的步骤，在层叠型半导体元件的形状处理之后，控制所述处理气体供给单元，降低所述氧化硅膜中的碳浓度。