[发明专利]多晶硅锭边尾料表面预处理装置及其处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种硅锭表面处理装置，特别涉及一种多晶硅锭边尾料的表面处理装置及其处理方法。

背景技术

在多晶硅铸锭工艺过程中，多晶硅铸锭表面会粘有氮化硅等杂质，由于铸锭生产中的分凝与扩散作用，部分杂质甚至会渗透到多晶硅铸锭表面的表层，经硅锭的开方工艺后，会产生大量的边尾料，这些边尾料一般要回用。回用前要对硅料表面进行清理，将其表面及表层所含杂质去除。现有技术是利用喷砂或人工打磨的方法进行预处理，存在工作强度大，环境粉尘污染严重，清理质量和效率均低下的问题。

发明内容

本发明提供了一种多晶硅锭边尾料表面预处理装置及其处理方法，解决了现有技术存在的环境粉尘污染严重，表面清理质量和效率均低下的技术问题。

本发明是通过以下技术方案解决以上技术问题的：

一种多晶硅锭边尾料表面预处理装置，包括长方体形腐蚀池体，在长方体形腐蚀池体的底面中央设置有排液管路，在排液管路上设置有排液控制阀，在长方体形腐蚀池体的左右两内侧面底部均设置有池底凹槽，在池底凹槽中设置有电加热器，在长方体形腐蚀池体内分别连通有酸液输入管、碱液输入管、净水输入管和压缩空气输入管，在长方体形腐蚀池体的底面上设置有料筐支撑网罩台，在料筐支撑网罩台上活动设置有料筐，在料筐中设置有边尾料。

在长方体形腐蚀池体的池口一侧设置有抽风筒，在长方体形腐蚀池体的底部设置有温度传感器。

一种多晶硅锭边尾料表面处理方法，包括以下步骤：

第一步、先启动设置在长方体形腐蚀池体的池口一侧的抽风系统，使抽风筒处于负压状态，将装满边尾料的料筐放置到长方体形腐蚀池体的底面上设置的料筐支撑网罩台上；

第二步、关闭排液控制阀，打开碱液输入管，将预先配置好的浓度为100-110克/每升，温度为40-50摄氏度的碱液打入长方体形腐蚀池体内，打入的碱液要淹没料筐中设置的边尾料，然后，同时打开压缩空气输入管和电加热器，对打入到长方体形腐蚀池体内的碱液进行加热和鼓泡，控制碱液温度在65-70摄氏度，鼓泡浸泡时间4小时30分钟后，打开排液控制阀将长方体形腐蚀池体内的碱液排尽；

第三步、打开净水输入管，对边尾料进行喷淋，喷淋1分钟；

第四步、关闭排液控制阀，打开酸液输入管，将预先配置好的浓度为30%，温度为室温的酸液打入长方体形腐蚀池体内，打入的酸液要淹没料筐中设置的边尾料，然后，同时打开压缩空气输入管和电加热器，对打入到长方体形腐蚀池体内的酸液进行加热和鼓泡，控制酸液温度在30-40摄氏度，鼓泡浸泡时间2-4分钟后，打开排液控制阀将长方体形腐蚀池体内的酸液排尽；

第五步、打开净水输入管，对边尾料进行喷淋，喷淋1分钟；

第六步、将长方体形腐蚀池体内放满净水，浸泡2分钟后，打开排液控制阀将污水排净。

本发明具有结构简单，实用性强，克服了粉尘污染环境的问题，大大提高了硅锭边尾料的回用率。

附图说明

图1是本发明的结构示意图；

图2是本发明在俯视方向上的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明进行详细说明：

一种多晶硅锭边尾料表面预处理装置，包括长方体形腐蚀池体1，在长方体形腐蚀池体1的底面中央设置有排液管路4，在排液管路4上设置有排液控制阀5，在长方体形腐蚀池体1的左右两内侧面底部均设置有池底凹槽2，在池底凹槽2中设置有电加热器3，在长方体形腐蚀池体1内分别连通有酸液输入管8、碱液输入管9、净水输入管12和压缩空气输入管13，在长方体形腐蚀池体1的底面上设置有料筐支撑网罩台6，在料筐支撑网罩台6上活动设置有料筐10，在料筐10中设置有边尾料11。

在长方体形腐蚀池体1的池口一侧设置有抽风筒10，在长方体形腐蚀池体1的底部设置有温度传感器7。

一种多晶硅锭边尾料表面处理方法，包括以下步骤：

第一步、先启动设置在长方体形腐蚀池体1的池口一侧的抽风系统，使抽风筒10处于负压状态，将装满边尾料11的料筐10放置到长方体形腐蚀池体1的底面上设置的料筐支撑网罩台6上；