[发明专利]一种晶片生长装置及方法

说明书

本发明提供一种晶片生长装置及方法，所述装置包括：一炉管；一晶舟，置于所述炉管中；第一晶片组，其中的晶片的背面沉积氮化硅层；第二晶片组，靠近所述第一晶片组，其中的晶片的背面沉积氧化硅层；多个控片，分别置于所述晶舟的上部、中部和下部；多个挡片，包括侧挡片和附加挡片，所述侧挡片分别置于所述第一控片的上部和所述第三控片的下部，所述附加挡片将所述第一晶片组和所述第二晶片组隔开，并置于所述第三控片的上部。本发明在实现带有氮化硅的晶片和普通氧化硅晶片混合制程同时进行的同时提高了晶片可靠性测试的结果和晶片的良品率。

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，特别涉及一种晶片生长装置及方法。

背景技术

由于晶片（Wafer）表层对氧分子有较高的亲和力，所以将晶片表面曝露在含氧的气氛下，很容易形成一层氧化硅层。目前氧化硅层的制造方法普遍采用将晶片装入晶舟上，再将晶舟置于炉管中，升到适当温度，通入氧气或水蒸气等含氧气体，便可以在晶片上生长一层与硅材料附着性良好的二氧化硅。

如图1所示，为了在生产晶片的同时对晶片进行检测，人们通常采用控片（MonitorWafer）120、121和122，在将晶片装入晶舟150时，分别摆放在晶舟150的上中下部位。为了保持工艺的稳定性和统一性，在晶片的制造过程中还会采用挡片（Dummy Wafer）140和141，分别置于晶舟150的上部和下部，用于稳定气流和平衡炉管160的温度。

当晶片正面和背面是氧化硅时，由于控片的正面和背面也均为氧化硅，与晶片的结构相同，在晶片的制程过程中受影响较小，但是当需要前站为氮化硅制程工艺时，上下面都是氮化硅薄膜的晶片制程与氧化硅晶片制程（两面均是氧化硅）混合进行时，由于带有氮化硅的晶片110背面的氮化硅薄膜和控片120背面的氧化硅薄膜对于氧分子的吸引排斥效应不同，使得背面为氮化硅薄膜的晶片110直接摆放于第一控片120下面时，其氧化速度会比其他位置上的晶片快一些，相对应的氧化硅层厚度也比其他晶片厚1.5～4A，即图中的第一控片120下方的晶片会比该晶片下方的晶片厚一些，而背面为氧化硅薄膜的晶片130由于受带有氮化硅的晶片110的影响，其上方的晶片薄于底部的晶片。同时，控片也受相同的影响，即第一控片120的厚度大于第二控片121的厚度。控片和晶片的厚度不均匀，直接影响到晶片可靠性测试的结果和晶片的良品率。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶片生长装置及方法，用于解决的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶片生长装置及方法，所述晶片生长装置包括：

一炉管；

一晶舟，置于所述炉管中；

第一晶片组，其中的晶片的背面沉积氮化硅层；

第二晶片组，靠近所述第一晶片组，其中的晶片的背面沉积氧化硅层；

多个控片，包括第一控片、第二控片和第三控片，分别置于所述晶舟的上部、中部和下部；

多个挡片，包括侧挡片和附加挡片，所述侧挡片分别置于所述第一控片的上部和所述第三控片的下部，所述附加挡片将所述第一晶片组和所述第二晶片组隔开，并置于所述第三控片的上部。

优选地，所述第一控片和第三控片的背面分别与所述侧挡片相邻。

优选地，所述第一控片、第二控片、第三控片和侧挡片的正面为氧化硅层，背面为氮化硅层。

优选地，所述第一控片、第二控片、第三控片和侧挡片的背面依次沉积氧化硅层和氮化硅层。

优选地，所述附加挡片的正面和反面均为氧化硅层。

优选地，所述氧化硅层的厚度为50-1000A。

优选地，所述氮化硅层的厚度为50-1000A。