[发明专利]一种晶片生长装置及方法

权利要求书

1.一种晶片生长装置，其特征在于，所述晶片生长装置包括：

一炉管；

一晶舟，置于所述炉管中；

第一晶片组，其中的晶片的背面沉积氮化硅层；

第二晶片组，靠近所述第一晶片组，其中的晶片的背面沉积氧化硅层；

多个控片，包括第一控片、第二控片和第三控片，分别置于所述晶舟的上部、中部和下部；多个挡片，包括侧挡片和附加挡片，所述侧挡片分别置于所述第一控片的上部和所述第三控片的下部，所述附加挡片将所述第一晶片组和所述第二晶片组隔开，并置于所述第三控片的上部，其中，所述第一控片和第三控片分别与所述侧挡片相邻，第二控片置于晶舟的中间部位且位于上述单片附加挡片的上面，所述第一控片、第二控片、第三控片和侧挡片的正面为氧化硅层，背面为氮化硅层；所述附加挡片的正面和反面均为氧化硅层；所述第一晶片组中的晶片、所述第二晶片组中的晶片、所述控片、所述挡片的正面朝上背面朝下。

2.根据权利要求1所述的晶片生长装置，其特征在于：所述第一控片、第二控片、第三控片和侧挡片的背面依次沉积氧化硅层和氮化硅层。

3.根据权利要求1或2所述的晶片生长装置，其特征在于：所述氧化硅层的厚度为50-1000A。

4.根据权利要求1或2所述的晶片生长装置，其特征在于：所述氮化硅层的厚度为50-1000A。

5.一种晶片生长方法，其特征在于，所述晶片生长方法至少包括：

步骤1：在炉管内装入承载第一晶片组、第二晶片组、多个控片和多个挡片的晶舟，其中，所述第一晶片组中晶片的背面沉积氮化硅层；所述第二晶片组靠近所述第一晶片组，其中的晶片的背面沉积氧化硅层；多个控片，包括第一控片、第二控片和第三控片，分别置于所述晶舟的上部、中部和下部；多个挡片，包括侧挡片和附加挡片，所述侧挡片分别置于所述第一控片的上部和所述第三控片的下部，所述附加挡片将所述第一晶片组和所述第二晶片组隔开，并置于所述第三控片的上部，其中，所述第一控片和第三控片分别与所述侧挡片相邻，第二控片置于晶舟的中间部位且位于上述单片附加挡片的上面，所述第一控片、第二控片、第三控片和侧挡片的正面为氧化硅层，背面为氮化硅层；所述附加挡片的正面和反面均为氧化硅层；所述第一晶片组中的晶片、所述第二晶片组中的晶片、所述控片、所述挡片的正面朝上背面朝下；

步骤2：加热所述炉管，并通入氧气，使所述晶片表面生长预设厚度的氧化层。

6.根据权利要求5所述的晶片生长方法，其特征在于，还包括步骤3：关闭氧气，通入氮气，并退火、降温。

7.根据权利要求6所述的晶片生长方法，其特征在于，还包括步骤4：取出所述多个控片，测量所述多个控片的氧化层厚度。

8.根据权利要求5所述的晶片生长方法，其特征在于，所述第一控片、第二控片、第三控片和侧挡片的形成方法为：

在硅片的正面和背面分别沉积氧化硅层；

在所述氧化硅层上沉积氮化硅层；

刻蚀硅片正面的氮化硅层，曝露出氧化硅层。

9.根据权利要求8所述的晶片生长方法，其特征在于：所述氧化硅层的厚度为50-1000A。

10.根据权利要求8所述的晶片生长方法，其特征在于：所述氮化硅层的厚度为50-1000A。

11.根据权利要求5所述的晶片生长方法，其特征在于，所述附加挡片的形成方法为：在硅片的正面和背面分别沉积氧化硅层，形成附加挡片。