[发明专利]振动元件、振子、振荡器、电子设备以及移动体有效
| 申请号: | 201410104030.7 | 申请日: | 2014-03-20 |
| 公开(公告)号: | CN104079260B | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
| 发明(设计)人: | 菊岛正幸;田中雅子;小幡直久;海野幸浩 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | H03H9/19 | 分类号: | H03H9/19;H03H9/02 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,马建军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 振动 元件 振荡器 电子设备 以及 移动 | ||
技术领域
本发明涉及振动元件、振子、振荡器、电子设备以及移动体。
背景技术
AT切石英振动元件由于要激励的主振动的振动模式是厚度剪切振动,适合于小型化、高频率化,而且频率温度特性呈现优异的三次曲线,因而已用于压电振荡器、电子设备等的多个方面。
在专利文献1中公开有具有薄壁的振动部和设置在振动部全周的厚壁部的反台面结构的AT切石英振动元件,该AT切石英振动元件在所述厚壁部的一端部通过粘接材料固定在封装上。在AT切石英振动元件被悬臂支撑的状态下,对AT切石英振动元件施加厚度方向的加速度时,具有前端部(振动部)变形,振动特性(频率特性)不稳定的问题。特别是在专利文献1记载的AT切石英振动元件中,由于在振动部整个周围形成有厚壁部,前端部的重量重,因而对加速度的影响大,相应地,频率的偏移量也将变大。
【专利文献1】日本特开2002-198772号公报
发明内容
本发明的目的是提供振动元件、振子、振荡器、电子设备以及移动体,可以在抑制大型化(厚壁化)的同时,减少由加速度(振动)等的外力引起的振动特性的变化,发挥稳定的振动特性。
本发明正是为了解决上述课题的至少一部分而完成的,本发明能够作为以下的应用例实现。
[应用例1]
本发明的振动元件,其特征在于,该振动元件包含:
基板,其包含第1区域和第2区域,所述第1区域包含以厚度剪切振动进行振动的振动区域,所述第2区域与所述第1区域一体,厚度比所述第1区域厚;以及
激励电极,其分别设置于所述振动区域的正面和背面,
所述第1区域包含:
设置于所述厚度剪切振动的振动方向的一端和另一端的第1外缘;以及
设置于与所述振动方向交叉的方向的一端和另一端的第2外缘,
所述第2区域包含:
第1厚壁部,其沿着一个所述第1外缘设置,设置有固定于对象物的固定部;以及
第2厚壁部,其沿着一个所述第2外缘设置且与所述第1厚壁部连接,
另一个所述第2外缘从所述基板的侧面露出,
在所述基板的所述另一个第1外缘侧且所述另一个第2外缘侧的角部,设置有在俯视所述基板时与所述振动方向和与所述振动方向垂直的方向交叉的倾斜外缘部。
由此,能够得到这样的振动元件:可减小前端侧(固定部的相反侧)的质量,可以抑制由加速度(振动)等的外力引起的振动特性的变化,发挥稳定的振动特性。并且,可以抑制厚壁部的厚度,可以抑制振动元件的大型化。
[应用例2]
在本发明的振动元件中,优选的是,当设所述基板在所述振动方向上的长度为L,所述第1区域在所述振动方向上的长度为L1时,满足L1/L≤0.52的关系。
由此,可以减少由加速度(振动)等的外力引起的第1区域的挠曲。
[应用例3]
在本发明的振动元件中,优选的是,当设俯视所述基板时所述基板在与所述振动方向垂直的方向上的长度为W,所述第1区域在与所述振动方向垂直的方向上的长度为W1时,满足W1/W≥0.5的关系。
由此,可以减少由加速度(振动)等的外力引起的第1区域的挠曲。
[应用例4]
在本发明的振动元件中,优选的是,所述倾斜外缘部相对于所述振动方向的倾斜角为40°以上50°以下。
由此,可以更有效地发挥倾斜外缘部的质量减小效果。
[应用例5]
在本发明的振动元件中,优选的是,当设所述第2区域的最大厚度为Tmax,最小厚度为Tmin时,平均厚度(Tmax+Tmin)/2为50μm以上70μm以下。
由此,可以在提高振动元件的刚性的同时,高精度地进行第1区域的形成。
[应用例6]
在本发明的振动元件中,优选的是,另一个所述第1外缘露出。
由此,可以减小振动元件的前端侧的质量。
[应用例7]
在本发明的振动元件中,优选的是,所述第2区域还包含第3厚壁部,该第3厚壁部沿着另一个所述第1外缘设置且与所述第2厚壁部连接。
由此,可以提高第1区域的刚性,可以进一步减少由加速度(振动)等的外力引起的第1区域的挠曲。
[应用例8]
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410104030.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:耗尽型金属氧化物半导体场效应管驱动器
- 下一篇:电动机





