[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 

衬底； 

沟槽隔离结构，形成于所述衬底中； 

栅极，形成于相邻所述沟槽隔离结构之间的衬底的表面上； 

第一介质层，形成于所述栅极的侧壁上，且至少部分设置在相邻所述沟槽隔离结构之间的衬底的表面上，以使得所述栅极的宽度小于相邻所述沟槽隔离结构之间的衬底表面的宽度。 

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一介质层的材料选自SiN、SiON和SiCN中的一种或多种。 

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，在所述栅极和衬底之间设置第二介质层，所述第二介质层与位于栅极两侧的两个所述第一介质层相连形成凹槽结构，所述栅极形成在所述凹槽结构中。 

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在所述第二介质层和衬底之间设置第三介质层，优选所述第三介质层为氧化物层。 

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件进一步包括：形成于所述栅极、沟槽隔离结构和第一介质层的裸露表面上的第四介质层，优选所述第四介质层优选为ONO层。 

6.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤： 

提供衬底； 

在所述衬底中形成浅沟槽和位于所述浅沟槽中的隔离物质层，所述隔离物质层的上表面高于所述衬底的上表面； 

在高于所述衬底上表面的所述隔离物质层侧壁上形成第一介质层，并在相邻的所述第一介质层之间的衬底表面上形成栅极； 

去除部分所述隔离物质层，形成沟槽隔离结构。 

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一介质层的步骤包括： 

在所述隔离物质层的侧壁和上表面上形成介质预备层；以及去除位于所述隔离物质层上表面上的介质预备层，形成所述第一介质层。 

8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第一介质层的步骤中，同时在相邻所述隔离物质层之间的衬底上形成第二介质层，相邻所述隔离物质层之间两个所述第一介质层与所述第二介质层形成凹槽结构，所述栅极形成在所述凹槽结构中。 

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一介质层和第二介质层的步骤包括： 

在所述隔离物质层的侧壁和上表面上，以及相邻所述隔离物质层之间的衬底表面上形成连续设置的介质预备层；以及去除位于所述隔离物质层上表面上的介质预备层，形成所述第一介质层和第二介质层。 

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一介质层，所述第二介质层和所述栅极的步骤包括： 

在所述隔离物质层的侧壁和上表面上，以及相邻所述隔离物质层之间的衬底表面上形成连续设置的介质预备层； 

在相邻所述隔离物质层之间的介质预备层中形成栅极预备层； 

平坦化处理，去除位于所述隔离物质层上表面上的介质预备层，和高于所述隔离物质层上表面的栅极预备层，形成所述第一介质层，所述第二介质层和所述栅极。 

11.根据权利要求7或9所述的制作方法，其特征在于，所述介质预备层选自SiN、SiON和SiCN中的任一种或多种。 

12.根据权利要求7或9所述的制作方法，其特征在于，在形成所述介质预备层之后，对相邻所述隔离物质层之间的衬底进行离子注入。 

13.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在形成所述栅极之后，对所述栅极进行离子注入。 

14.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述第二介质层和衬底之间形成第三介质层，形成所述第三介质层的步骤为： 

在所述衬底表面上形成第三介质预备层；以及刻蚀所述第三介质预备层和衬底，在所述衬底中形成浅沟槽，并将剩余所述第三介质预备层作为第三介质层。 

15.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法进一步包括：在形成所述沟槽隔离结构之后，在所述栅极、所述第一介质层以及所述沟槽隔离结构的外露表面上形成第四介质层，优选所述第四介质层为ONO层。