[发明专利]一种薄膜电极制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种薄膜电极制作方法。 

背景技术

石墨烯是一种由碳原子构成的单层片状结构的新材料，由于其具有很高的载流子浓度和迁移率以及亚微米尺度的弹性输运特性，已被广泛应用于微处理器、电池、显示器及柔性电子器件中。 

目前，石墨烯材料被认为是触控显示领域中具有广阔前景的电极材料，其有望取代现有的价格昂贵的氧化锡铟(ITO)等导电材料。常见的石墨烯电极的制作方法有碳化硅(SiC)外延生长法和化学气相沉积(CVD)法。 

然而，石墨烯不可能直接生长在玻璃基板上，因此石墨烯电极也不可能像ITO电极一样直接在玻璃基板上刻蚀得到。一方面由于石墨烯是一种单层平面二维结构，而玻璃是一种非晶体，其表面平整度较低；另一方面，石墨烯的沉积面必须有催化介质。因此石墨电极制作厂商通常是先在石墨材料制作厂商购买石墨烯，然后再将石墨烯刻蚀得到石墨烯电极图形。故，石墨电极制作厂商需要额外购买石墨烯电极图形加工设备，其成本较高，且工艺较复杂。 

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种成本低且工艺简单的薄膜电极制作方法。 

本发明提供的薄膜电极制作方法包括以下步骤：提供一至少具有一第一表面的第一衬底，在所述第一表面上形成一阻挡层；在所述阻挡层上形成至少一第一图形，以露出所述第一表面，形成所述第一图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成一第一收容空间；在所述第一表面上形成一第一薄膜电极，所述第一薄膜电极完全收容于所述第一收容空间内；去除所述第一衬底及阻挡层， 得到所述第一薄膜电极。 

本发明提供的薄膜电极制作方法中，所述薄膜电极制作方法还包括提供一具有一第二表面的第二衬底，以及将所述第一薄膜电极形成于所述第二表面的步骤。 

本发明提供的薄膜电极制作方法中，所述阻挡层上形成有多个第一图形，露出所述第一表面，且形成所述多个第一图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成多个所述第一收容空间；在所述第一表面上形成多个第一薄膜电极，所述多个第一薄膜电极完全收容于所述第一收容空间内；且所述薄膜电极制作方法还包括将所述多个第一薄膜电极形成于所述第二衬底上的步骤。 

本发明提供的薄膜电极制作方法中，形成于所述第二衬底上的多个第一薄膜电极之间相互间隔绝缘，且所述多个第一薄膜电极通过一第一结合层与所述第二衬底相结合，所述第一结合层位于所述多个第一薄膜电极与所述第二表面之间，或者所述多个第一薄膜电极位于所述第一结合层和所述第二表面之间。 

本发明提供的薄膜电极制作方法中，所述薄膜电极制作方法至少包括在所述阻挡层上形成一第二图形的步骤，以露出所述第一表面，形成所述第二图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成一第二收容空间；在所述第一表面上形成一第二薄膜电极，所述第二薄膜电极完全收容于所述第二收容空间内；去除所述第一衬底及阻挡层，得到所述第二薄膜电极。 

本发明提供的薄膜电极制作方法中，所述阻挡层上形成有多个第二图形，露出所述第一表面，且形成所述多个第二图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成多个所述第二收容空间；在所述第一表面上形成多个第二薄膜电极，所述多个第二薄膜电极完全收容于所述第二收容空间内；且所述薄膜电极制作方法还包括将所述多个第二薄膜电极形成于所述第二衬底上的步骤。 

本发明提供的薄膜电极制作方法中，形成于所述第二衬底上的多个第二薄膜电极之间相互间隔绝缘，且所述多个第二薄膜电极通过一第二结合层与所述第二衬底相结合，所述第二结合层位于所述多个第二薄膜电极与所述第二表面之间，或者所述多个第二薄膜电极位于所述第二结合层和所述第二表面之间。 

本发明提供的薄膜电极制作方法中，所述第一表面为一平面，在垂直于所 述第一表面的方向上，所述阻挡层的厚度较所述第一薄膜电极和第二薄膜电极的厚度大，所述多个第一图形与所述多个第二图形在同一制程中一并制成，所述多个第一薄膜电极与所述多个第二薄膜电极采用同种材料在同一工艺中一并制程成，且每一所述第一薄膜电极与一第二薄膜电极电性相连，所述第二薄膜电极用于将所述第一薄膜电极电性连接至一外部电路。 

本发明提供的薄膜电极制作方法中，所述第一结合层与第二结合层采用同种材料在同一制程中一并制成，所述第二表面为一平面，且在垂直于所述第二表面方向上，所述第一薄膜电极与第二薄膜电极具有相同的厚度，所述第一结合层与第二结合层具有相同的厚度，所述第一薄膜电极与第一结合层具有相同或不同的厚度。