[发明专利]一种薄膜电极制作方法

权利要求书

1.一种薄膜电极制作方法，其至少包括以下步骤：

提供一至少具有一第一表面的第一衬底，在所述第一表面上形成一阻挡层；

在所述阻挡层上形成至少一第一图形，以露出所述第一表面，形成所述第一图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成一第一收容空间；

在所述第一表面上形成一第一薄膜电极，所述第一薄膜电极完全收容于所述第一收容空间内；

去除所述第一衬底及阻挡层，得到所述第一薄膜电极。

2.如权利要求1所述的薄膜电极制作方法，其特征在于：所述薄膜电极制作方法还包括提供一具有一第二表面的第二衬底，以及将所述第一薄膜电极形成于所述第二表面的步骤。

3.如权利要求2所述的薄膜电极制作方法，其特征在于：所述阻挡层上形成有多个第一图形，露出所述第一表面，且形成所述多个第一图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成多个所述第一收容空间；在所述第一表面上形成多个第一薄膜电极，所述多个第一薄膜电极完全收容于所述第一收容空间内；且所述薄膜电极制作方法还包括将所述多个第一薄膜电极形成于所述第二衬底上的步骤。

4.如权利要求3所述的薄膜电极制作方法，其特征在于：形成于所述第二衬底上的多个第一薄膜电极之间相互间隔绝缘，且所述多个第一薄膜电极通过一第一结合层与所述第二衬底相结合，所述第一结合层位于所述多个第一薄膜电极与所述第二表面之间，或者所述多个第一薄膜电极位于所述第一结合层和所述第二表面之间。

5.如权利要求4所述的薄膜电极制作方法，其特征在于：所述薄膜电极制作方法至少包括在所述阻挡层上形成一第二图形的步骤，以露出所述第一表面，形成所述第二图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成一第二收容空间；在所述第一表面上形成一第二薄膜电极，所述第二薄膜电极完全收容于所述第二收容空间内；去除所述第一衬底及阻挡层，得到所述第二薄膜电极。

6.如权利要求5所述的薄膜电极制作方法，其特征在于：所述阻挡层上形成有多个第二图形，露出所述第一表面，且形成所述多个第二图形的阻挡层部分与所述第一表面共同形成多个所述第二收容空间；在所述第一表面上形成多个第二薄膜电极，所述多个第二薄膜电极完全收容于所述第二收容空间内；且所述薄膜电极制作方法还包括将所述多个第二薄膜电极形成于所述第二衬底上的步骤。

7.如权利要求6所述的薄膜电极制作方法，其特征在于：形成于所述第二衬底上的多个第二薄膜电极之间相互间隔绝缘，且所述多个第二薄膜电极通过一第二结合层与所述第二衬底相结合，所述第二结合层位于所述多个第二薄膜电极与所述第二表面之间，或者所述多个第二薄膜电极位于所述第二结合层和所述第二表面之间。

8.如权利要求7所述的薄膜电极制作方法，其特征在于：所述第一表面为一平面，在垂直于所述第一表面的方向上，所述阻挡层的厚度较所述第一薄膜电极和第二薄膜电极的厚度大，所述多个第一图形与所述多个第二图形在同一制程中一并制成，所述多个第一薄膜电极与所述多个第二薄膜电极采用同种材料在同一工艺中一并制成，且每一所述第一薄膜电极与一第二薄膜电极电性相连，所述第二薄膜电极用于将所述第一薄膜电极电性连接至一外部电路。

9.如权利要求8所述的薄膜电极制作方法，其特征在于：所述第一结合层与第二结合层采用同种材料在同一制程中一并制成，所述第二表面为一平面，且在垂直于所述第二表面方向上，所述第一薄膜电极与第二薄膜电极具有相同的厚度，所述第一结合层与第二结合层具有相同的厚度，所述第一薄膜电极与第一结合层具有相同或不同的厚度。

10.如权利要求9所述的薄膜电极制作方法，其特征在于：制作所述第一薄膜电极和第二薄膜电极的材料为石墨烯，制作所述阻挡层的材料氧化锡铟，制作所述第一衬底的材料为金属、金属混合物或金属合金。