[发明专利]一种挺柱及其制备方法有效
| 申请号： | 201410103297.4 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103938167A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 辛延君;王慧芹;程祥军;王洋;杨玉霞 | 申请（专利权）人： | 潍柴动力股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/58;C23F17/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 261205 山东省潍坊*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 及其 制备 方法 | ||
1.一种挺柱的制备方法，包括以下步骤：
a）将挺柱基体置于磁控溅射设备中，抽真空后对所述挺柱基体进行预热；
b）将步骤a）得到的挺柱进行活化；
c）在氮气氛围下，采用TiC靶与SiC靶对步骤b）得到的挺柱进行溅射；
d）将步骤c）得到的挺柱进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b）具体为：
在所述磁控溅射设备中通入氩气，磁控溅射设备中的真空室内压强为0.1Pa～10Pa，射频电流为100A～200A时，利用氩气等离子体对步骤a）得到的挺柱的表面进行轰击活化。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤c）中所述溅射的过程中，所述磁控溅射设备的工作压强为0.1Pa～10Pa，靶心距为60mm～100mm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述TiC靶的磁控溅射钯的功率为500W～1000W，SiC靶的磁控溅射靶的功率为300W～500W。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为200℃～1200℃，所述退火处理的时间为1h～2h。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预热的温度为300℃～500℃。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a）中抽真空后所述磁控溅射设备的真空度为2×10-3Pa～5×10-3Pa。
8.权利要求1～7任一项所制备的挺柱，所述挺柱的表面设置有TiSiCN复合层。
9.根据权利要求8所述的挺柱，其特征在于，所述TiSiCN复合层中Si的含量为0.2wt%～10wt%，C的含量为0.2wt%～10wt%，Ti的含量为0.1wt%～5wt%，N的含量为0.5wt%～20wt%。
10.根据权利要求8所述的挺柱，其特征在于，所述TiSiCN复合层的厚度为20μm～50μm。
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