[发明专利]一种等离子体刻蚀装置及干法刻蚀设备

说明书

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种等离子体刻蚀装置及干法刻蚀设备。

背景技术

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点：一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的，干法刻蚀是晶圆片表面物理和化学两种过程平衡的结果。

现有技术中用作干法刻蚀的等离子体反应器，包括室，封入所述室内的底部电极和顶部电极；大体上平行于所述底部电极和所述顶部电极的第一约束环组，并围绕所述底部电极和所述顶部电极之间的第一体积；大体上平行于所述底部电极和所述顶部电极的第二约束环组，并围绕所述底部电极和所述顶部电极之间的第二体积，所述第二体积大于所述第一体积；邻近并围绕所述底部电极的接地扩展部，其中，所述第一约束环组和所述第二约束环组能够被独立地升高和降低，以延伸到所述接地扩展部之上的区域内。

综上所述，现有技术通过调节中心和边缘面积比来调节刻蚀率，采用该方法进行调节时，等离子场的分布只能在有限范围内通过气体和射频功率来轻微变化，可调范围有限。同时，采用该方法调节刻蚀率时，无法克服刻蚀率不均匀的现象。

发明内容

本发明实施例提供了一种等离子体刻蚀装置及干法刻蚀设备，用以在大范围内控制等离子体的刻蚀分布，实现对刻蚀率的独立和均匀控制。

本发明实施例提供的一种等离子体刻蚀装置，包括气体输入端、下部电极和上部电极，其中：所述上部电极包括多个上部子电极，所述装置还包括：整流板、升降螺杆以及绝缘隔板，

所述整流板位于所述气体输入端和所述上部子电极之间，用于将所述气体输入端输入的反应气体均匀分布在每个上部子电极表面；

所述升降螺杆与每个上部子电极连接，用于控制每个上部子电极与所述下部电极之间的距离；

所述绝缘隔板位于相邻的两个上部子电极之间，使得相邻的上部子电极之间绝缘。

由本发明实施例提供的等离子体刻蚀装置，包括气体输入端、下部电极和上部电极，其中：所述上部电极包括多个上部子电极，所述装置还包括：整流板、升降螺杆以及绝缘隔板，所述整流板位于所述气体输入端和所述上部子电极之间，用于将所述气体输入端输入的反应气体均匀分布在每个上部子电极表面；所述升降螺杆与每个上部子电极连接，用于控制每个上部子电极与所述下部电极之间的距离；所述绝缘隔板位于相邻的两个上部子电极之间，使得相邻的上部子电极之间绝缘，因此，本发明实施例提供的等离子体刻蚀装置能够在大范围内控制等离子体的刻蚀分布，实现对刻蚀率的独立和均匀控制。

较佳地，所述上部电极包括9个上部子电极。

这样，将上部子电极的个数设置为9个，在实际生产中简单、方便。

较佳地，所述装置还包括设置有开孔的氧化铝挡板，所述氧化铝挡板位于所述气体输入端和所述整流板之间，用于将所述气体输入端输入的气体从所述氧化铝挡板的开孔处输出。

这样，当所述装置还包括设置有开孔的氧化铝挡板时，在实际生产中更容易得到均匀的气体分布。

较佳地，所述氧化铝挡板上设置有9个开孔，分别位于所述氧化铝挡板的中心区域、四角区域和四边中心区域。

这样，由于氧化铝挡板上设置的开孔分别位于该氧化铝挡板的中心区域、四角区域和四边中心区域，在实际生产中更加简单、方便。

较佳地，所述整流板设置有150*150个开孔。

这样，当整流板设置有150*150个开孔，在实际生产中更加简单、方便。

较佳地，所述整流板上的开孔的孔径，是根据所述整流板上的开孔与所述氧化铝挡板上的开孔之间的距离设置的，所述距离越大，所述整流板上的开孔的孔径越大。

这样，当整流板上的开孔与所述氧化铝挡板上的开孔之间的距离越大，所述整流板上的开孔的孔径越大时，在实际生产中能够更好的得到均匀分布的反应气体。

较佳地，所述整流板上的开孔的最大孔径为5毫米。

这样，当将整流板上的开孔的最大孔径设置为5毫米时，在实际生产中更加简单、方便。

较佳地，所述整流板上的开孔的最小孔径为3毫米。

这样，当将整流板上的开孔的最小孔径设置为3毫米时，在实际生产中更加简单、方便。

较佳地，所述绝缘隔板为陶瓷隔板。