[发明专利]沟槽功率器件及其制作方法

权利要求书

1.一种沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和终端结构区；

对所述半导体衬底进行第一次离子注入，形成第一掺杂区；

在所述半导体衬底的有源区上形成掩膜层，在所述掩膜层的两侧形成侧墙；

在所述半导体衬底的有源区形成第一沟槽，在所述终端结构区形成第二沟槽；

在所述第一沟槽中形成沟槽功率器件的栅极，同时在所述第二沟槽中沉积多晶硅，所述多晶硅在远离所述有源区的一侧呈弧形；

去除所述侧墙，进行第二次离子注入，在所述第一掺杂区中形成第二掺杂区；

去除所述掩膜层，在所述半导体衬底上沉积介质层，所述介质层填充所述第二沟槽；

进行后续的半导体工艺，完成所述沟槽功率器件的制作。

2.如权利要求1所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，所述后续的半导体工艺包括：

在所述介质层与半导体衬底上形成通孔，在所述通孔中填充第一金属层；

在所述介质层上沉积第二金属层。

3.如权利要求2所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，所述第二沟槽中多晶硅上方的介质层呈弧形。

4.如权利要求3所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，在所述终端结构区边缘的所述第二金属层呈弧形。

5.如权利要求1所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂区为P型。

6.如权利要求5所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，所述第二掺杂区为N型。

7.如权利要求6所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，所述第二掺杂区中的离子为砷离子。

8.如权利要求2所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，在所述通孔中填充的第一金属层延伸至所述第一掺杂区中。

9.如权利要求8所述的沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，所述第一金属层的材质为钨，所述第二金属层的材质为铝。

10.一种使用权利要求1～9所述的沟槽功率器件的制作方法制作的沟槽功率器件，其特征在于，包括：

包含有源区和终端结构区的半导体衬底；

所述有源区中形成有第一沟槽，所述终端结构区中形成有第二沟槽；

所述第一沟槽内形成有栅极，所述第二沟槽内靠近所述有源区的侧壁与底部形成有多晶硅，所述多晶硅在远离所述有源区的一侧呈弧形；

所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层填充所述第二沟槽；

所述第一沟槽两侧的半导体衬底内形成有第一掺杂区与第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区之内。