[发明专利]一种等离子体处理腔室及其基台的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种等离子体处理腔室及其基台的制造方法。

背景技术

等离子处理装置利用真空反应室的工作原理进行半导体基片和等离子平板的基片的加工。真空反应室的工作原理是在真空反应室中通入含有适当刻蚀剂源气体的反应气体，然后再对该真空反应室进行射频能量输入，以激活反应气体，来激发和维持等离子体，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上淀积材料层，进而对半导体基片和等离子平板进行加工。

等离子体处理装置的基台设置于腔室下方，其上设置有静电夹盘用于夹持基片。基台包括一基体，基体之上设置有多层材料，每层材料可以承受的高温不同，而在加工过程中又需要在一定温度条件下执行，因此使得基台的制造方法存在很多风险。

发明内容

针对背景技术中的上述问题，本发明提出了一种等离子体处理腔室及其基台的制造方法。

本发明第一方面提供了一种等离子体处理腔室的基台的制造方法，其中，所述等离子体处理腔室包括一腔体，基台设置于所述腔体下方用于承载基片，反应气体从该腔体上方进入腔室并在射频能量的作用下激发成等离子体从而对所述基台之上的基片进行制程，其中，所述制造方法包括如下步骤：

提供一基体；

采用热压将第一绝缘层粘附在所述基体上方，其中，在所述第一绝缘层中设置有加热装置；

采用热喷涂在所述基体外围做抗腐蚀涂层。

进一步地，所述基体的材料为铝合金。

进一步地，所述第一绝缘层的材料为高分子塑料聚合物。

进一步地，所述高分子塑料聚合物包括聚酰亚胺材料、聚醚醚酮树脂、聚醚酰亚胺。

进一步地，所述热压是在260℃至400℃的温度下进行的。

进一步地，所述抗腐蚀涂层的材料包括Al₂O₃，Y₂O₃，AlN以及上述材料的混合。

进一步地，所述热喷涂是在200℃以下的温度进行的。

进一步地，在采用热喷涂在所述基体外围做抗腐蚀涂层之后，所述制造方法还包括在所述第一绝缘层之上设置一层粘结层的步骤。

进一步地，在所述第一绝缘层之上设置一层粘结层之后，所述制造方法还包括在所述粘结层之上设置第二绝缘层并在该第二绝缘层中设置直流电极的步骤。

本发明第二方面提供了一种等离子体处理腔室的制造方法，其中，所述制造方法本发明第一方面所述的基台的制造方法。

本发明提供的一种等离子体处理腔室及其基台的制造方法虽然需要在在不同温度和压力下完成多层材料的依次设置，但是不会相互影响，也不会因为后续制造步骤温度过高而导致已经做好的材料层有融化的风险。本发明还可以有效地防止电弧放电和金属污染。

附图说明

图1是等离子体处理腔室的结构示意图；

图2是等离子体处理腔室的基台的结构示意图；

图3是根据本发明一个具体实施例的等离子体处理腔室的基台制造方法的步骤流程图。

具体实施方式

以下结合附图，对本发明的具体实施方式进行说明。

要指出的是，“半导体工艺件”、“晶圆”和“基片”这些词在随后的说明中将被经常互换使用，在本发明中，它们都指在处理反应室内被加工的工艺件，工艺件不限于晶圆、衬底、基片、大面积平板基板等。为了方便说明，本文在实施方式说明和图示中将主要以“基片”为例来作示例性说明。