[发明专利]一种等离子体处理腔室及其基台的制造方法有效
| 申请号： | 201410097630.5 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104934279B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 左涛涛;吴狄 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/24 | 分类号： | H01J9/24 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 及其 制造 方法 | ||
1.一种等离子体处理腔室的基台的制造方法，其中，所述等离子体处理腔室包括一腔体，基台设置于所述腔体下方用于承载基片，反应气体从该腔体上方进入腔室并在射频能量的作用下激发成等离子体从而对夹持于所述基台之上的基片进行制程，其中，所述制造方法包括如下步骤：
提供一基体；
采用热压将第一绝缘层设置于在所述基体上方，其中，在所述第一绝缘层中设置有加热装置；
采用热喷涂在所述基体外围做抗腐蚀涂层；
在所述第一绝缘层之上设置一层粘结层之后，所述制造方法还包括在所述粘结层之上设置第二绝缘层并在该第二绝缘层中设置直流电极的步骤,所述基体的材料为铝合金,所述第一绝缘层的材料为高分子塑料聚合物,所述高分子塑料聚合物包括聚酰亚胺材料、聚醚醚酮树脂、聚醚酰亚胺,热压是在260℃至400℃的温度下进行的。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述抗腐蚀涂层的材料包括Al2O3，Y2O3，AlN以及上述材料的混合。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述热喷涂是在200℃以下的温度进行的。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在采用热喷涂在所述基体外围做抗腐蚀涂层之后，所述制造方法还包括在所述第一绝缘层之上设置一层粘结层的步骤。
5.一种等离子体处理腔室的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括权利要求1至4任一项所述的基台的制造方法。
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