[发明专利]去除缺陷的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种去除缺陷的方法。

背景技术

半导体工艺中，沉积的薄膜表面若形成有颗粒（Particle）则会影响半导体器件的性能。

请参考图1，在半导体后段形成金属互连线的工艺中，半导体表面依次形成有层间介质层（IMD）10、第一隔离层20、金属层30以及第二隔离层40，然而，在形成第二隔离层40后，通常会有较多的缺陷（Defect）50残留在所述第二隔离层40表面或者内部。现有技术中，通常采用水或气对所述第二隔离层40的表面进行清洗（Scrubber），然而仅仅能够清洗掉残留在所述第二隔离层40表面的缺陷50，无法清除部分或者全部位于所述第二隔离层40内的缺陷50，若所述第二隔离层40遭受数量较为严重的缺陷50，可能会导致半导体器件的报废。

那么，如何去除位于所述第二隔离层40内的缺陷50便成为本领域技术人员急需解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种去除缺陷的方法，能够去除位于薄膜内的缺陷，避免报废情况发生。

为了实现上述目的，本发明提出了一种去除缺陷的方法，包括步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有层间介质层、第一隔离层、金属层和第二隔离层；

采用多次刻蚀依次去除所述第二隔离层和金属层，刻蚀停止于所述第一隔离层；

采用化学机械研磨去除所述第一隔离层，暴露出所述层间介质层；

在所述层间介质层的表面依次形成第一隔离层、金属层和第二隔离层。

进一步的，所述第二隔离层的表面形成有底部抗反射层。

进一步的，采用第一湿法刻蚀去除所述底部抗反射层，刻蚀停止于所述第二隔离层。

进一步的，所述第一湿法刻蚀采用氢氟酸。

进一步的，在重新形成所述第一隔离层、金属层和第二隔离层之后，在所述第二隔离层表面重新形成所述底部抗反射层。

进一步的，采用第二湿法刻蚀去除所述第二隔离层，刻蚀停止于所述金属层上。

进一步的，所述第二湿法刻蚀采用双氧水和氨水混合液。

进一步的，采用第三湿法刻蚀去除所述金属层，刻蚀停止于所述第一隔离层上。

进一步的，所述第三湿法刻蚀采用硝酸、磷酸和醋酸的混合液。

与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现在：先采用多步刻蚀分别依次去除第二隔离层和金属层，从而能够刻蚀去除残留在所述第二隔离层内的缺陷，接着，采用化学机械研磨去除第一隔离层，接着，在暴露出的层间介质层表面依次重新形成第一隔离层、金属层和第二隔离层，由于去除第一隔离层采用化学机械研磨不会对层间介质层造成损伤，从而保证层间介质层的质量，不会影响半导体芯片，并且能够完全去除位于第二隔离层内的缺陷，提高半导体芯片的良率，避免报废情况发生。

附图说明

图1为第二隔离层内残留有多个缺陷的结构示意图；

图2为本发明实施例一中去除缺陷的方法的流程图；

图3为本发明实施例一中刻蚀去除第二隔离层后的结构示意图；

图4为本发明实施例一中刻蚀去除金属层后的结构示意图；

图5为本发明实施例一中研磨去除第一隔离层后的结构示意图；

图6为本发明实施例一中重新形成第一隔离层、金属层和第二隔离层后的结构示意图；

图7为本发明实施例二中底部抗反射层内残留有多个缺陷的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的去除缺陷的方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

实施例一