[发明专利]去除缺陷的方法有效
| 申请号： | 201410097527.0 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103839885A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王铁渠;王雷;孙洪福;崔永鹏;冯俊伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 缺陷 方法 | ||
1.一种去除缺陷的方法，包括步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有层间介质层、第一隔离层、金属层和第二隔离层；
采用多次刻蚀依次去除所述第二隔离层和金属层，刻蚀停止于所述第一隔离层；
采用化学机械研磨去除所述第一隔离层，暴露出所述层间介质层；
在所述层间介质层的表面依次重新形成所述第一隔离层、金属层和第二隔离层。
2.如权利要求1所述的去除缺陷的方法，其特征在于，所述第二隔离层的表面形成有底部抗反射层。
3.如权利要求2所述的去除缺陷的方法，其特征在于，采用第一湿法刻蚀去除所述底部抗反射层，刻蚀停止于所述第二隔离层。
4.如权利要求2所述的去除缺陷的方法，其特征在于，所述第一湿法刻蚀采用氢氟酸。
5.如权利要求2所述的去除缺陷的方法，其特征在于，在重新形成所述第一隔离层、金属层和第二隔离层之后，在所述第二隔离层表面重新形成所述底部抗反射层。
6.如权利要求1所述的去除缺陷的方法，其特征在于，采用第二湿法刻蚀去除所述第二隔离层，刻蚀停止于所述金属层上。
7.如权利要求6所述的去除缺陷的方法，其特征在于，所述第二湿法刻蚀采用双氧水和氨水混合液。
8.如权利要求1所述的去除缺陷的方法，其特征在于，采用第三湿法刻蚀去除所述金属层，刻蚀停止于所述第一隔离层上。
9.如权利要求8所述的去除缺陷的方法，其特征在于，所述第三湿法刻蚀采用硝酸、磷酸和醋酸的混合液。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
