[发明专利]光阻加固设备及微粒污染排除方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种光阻加固设备及微粒污染排除方法。

背景技术

集成电路的制造需要在半导体（如硅）衬底上进行多种不同的物理和化学工艺。通常将制造集成电路的工艺分成三类——薄膜淀积、图案成形和半导体掺杂。导体（如多晶硅、铝、新近的工艺多用铜）和绝缘体（各种硅的氧化物、氮化硅及其他绝缘物质）的薄膜通常起到连接或隔离晶体管及其组成部分的作用。在晶圆上的不同区域选择性地掺杂可以使硅的电导率随电压变化。通过创造这些不同组成和功能的结构，可以制造出数百万个晶体管并且将它们连接起来，从而形成一个现代微电子复杂电路。光刻是半导体制造的基础，我们可以把光刻看成是在衬底上建立三维图形的过程。

光学光刻基本上是用一种称为光阻（光刻胶）的光敏感聚合物为材料的照相技术。通过曝光和显影，使光阻（光刻胶）在衬底上形成三维浮雕图形。典型的光学光刻工艺包括以下步骤：衬底准备、旋转涂胶、曝光前烘干、曝光、曝光后烘干、显影和显影后烘干。其中，曝光前烘干及曝光后烘干均可以称为光阻加固，光阻加固主要是通过加热或者紫外（UV）照射等工艺除去光阻（光刻胶）中多余的溶剂。光阻加固工艺中将产生一些不良后果，主要是由于光阻（光刻胶）的分解将产生微粒污染。为此，现有技术中将通过气体将所述微粒污染排除出反应腔室。

具体的，请参考图1，其为现有的光阻加固设备结构示意图。如图1所示，现有的光阻加固设备1包括反应腔室10、与所述反应腔室10连接的进气管11及与所述反应腔室10连接的排气管12。进一步的，所述光阻加固设备1还包括位于所述反应腔室10内的晶圆承载头（图1中未示出）等部件。在所述反应腔室10中执行了光阻加固工艺后，将通过如下方式将产生的微粒污染排除出反应腔室10：清洁气体通过进气管11通入至反应腔室10；这些气体经过反应腔室10，并携带走反应腔室10中的微粒污染；然后气体经由排气管12排出至反应腔室10外，由此便可实现将所述微粒污染排除出反应腔室10。

但是，在上述光阻加固设备中，不时会发生执行了将产生的微粒污染排除出反应腔室的操作之后，反应腔室中仍有大量颗粒污染的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光阻加固设备及微粒污染排除方法，以解决现有技术中，光阻加固设备中不时会发生执行了将产生的微粒污染排除出反应腔室的操作之后，反应腔室中仍有大量颗粒污染的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种光阻加固设备，所述光阻加固设备包括：反应腔室、与所述反应腔室连接的进气管及与所述反应腔室连接的排气管，其中，所述反应腔室中设置有测量装置，所述测量装置能够测量所述排气线路的状态并且发出测量信息。

可选的，在所述的光阻加固设备中，所述测量装置为一个或者多个传感器。

可选的，在所述的光阻加固设备中，还包括控制系统，所述控制系统能够接收所述测量装置发出的测量信息。

可选的，在所述的光阻加固设备中，所述排气线路的状态包括所述反应腔室的气压状况和/或所述排气管的拥堵状况。

可选的，在所述的光阻加固设备中，当所述排气线路的状态不适合排气时，所述测量装置发出不适合排气的警报信息。

可选的，在所述的光阻加固设备中，所述排气线路的状态不适合排气包括所述反应腔室的气压低于预设值或者所述排气管堵塞。

可选的，在所述的光阻加固设备中，还包括设置于所述排气管上的控制阀，通过松紧所述控制阀能够改变所述排气线路的状态。

本发明还提供一种上述光阻加固设备的微粒污染排除方法，所述微粒污染排除方法包括：

向进气管通入气体；

若测量装置发出的测量信息显示排气线路的状态适合排气时，则从排气管排出气体。

可选的，在所述的微粒污染排除方法中，若测量装置发出的测量信息显示排气线路的状态不适合排气时，则先调整排气线路的状态至适合排气，再从排气管排出气体。

可选的，在所述的微粒污染排除方法中，通过松紧控制阀调整排气线路的状态至适合排气。