[发明专利]芯片布置以及用于制造芯片布置的方法有效
申请号: | 201410095415.1 | 申请日: | 2014-03-14 |
公开(公告)号: | CN104051365A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | T.迈尔 | 申请(专利权)人: | 英特尔移动通信有限责任公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/538;H01L25/00;H01L21/56;H01L21/768 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 俞华梁;胡莉莉 |
地址: | 德国诺*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 布置 以及 用于 制造 方法 | ||
技术领域
各个方面涉及芯片布置以及用于制造芯片布置的方法。
背景技术
在制造集成电路(IC)中,IC(其又可称作芯片或小片)可在分配和/或与其它电子组件集成之前经过封装。这个封装可包括将芯片密封在材料中,并且在封装外部提供电触点以提供到芯片的接口。
随着对IC的更大能力和特征的需求增加,多个芯片可相互堆叠,以形成单个IC封装。将多个芯片相互堆叠的这个过程可称作小片堆叠,以及结果可称作小片叠层。小片堆叠对于给定占用面积可增加单个IC封装中可包含的芯片数量。因此,可节约印刷电路板上的不动产,和/或可简化板组装过程。除了节省空间之外,小片堆叠还可产生装置的更好电气性能,因为相互堆叠的芯片之间更短的互连布线可引起更快的信号传播以及噪声和串扰的降低。
虽然小片叠层的上述特征会是有利的,但是将多个芯片相互堆叠可减少小片叠层上可用于小片叠层的多个芯片与例如印刷电路板之间的电气布线和/或互连的面积。这例如可增加具有小片叠层的IC封装的设计的复杂度。可能需要堆叠芯片和/或封装所堆叠芯片的新方式。
发明内容
提供一种芯片布置,其可包括:第一半导体芯片,具有第一侧和与第一侧相对的第二侧;第二半导体芯片,具有第一侧和与第一侧相对的第二侧,第二半导体芯片设置在第一半导体芯片的第一侧并且电耦合到第一半导体芯片,第二半导体芯片的第一侧面向第一半导体芯片的第一侧;密封层,至少部分密封第一半导体芯片和第二半导体芯片,密封层具有第一侧和与第一侧相对的第二侧,第二侧面向与第二半导体芯片的第二侧相同的方向;以及互连结构,至少部分设置在密封层中并且电耦合到第一和第二半导体芯片中的至少一个,其中互连结构可延伸到密封层的第二侧。
提供一种制造芯片布置的方法,其可包括:提供具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的第一半导体芯片;将第二半导体芯片设置在第一半导体芯片的第一侧之上,第二半导体芯片具有第一侧和与第一侧相对的第二侧,第二半导体芯片的第一侧面向第一半导体芯片的第一侧,其中第二半导体芯片可电耦合到第一半导体芯片;形成密封层以至少部分密封第一和第二半导体芯片,密封层具有第一侧和与第一侧相对的第二侧,密封层的第二侧面向与第二半导体芯片的第二侧相同的方向;以及形成至少部分在密封层中的互连结构,其中互连结构可电耦合到第一和第二半导体芯片中的至少一个并且延伸到密封层的第二侧。
附图说明
附图中,相似的参考标号在全部不同视图中一般表示相同的部件。附图不一定按比例绘制,重点而是一般在于示出本发明的原理。在以下描述中,参照以下附图来描述本发明的各个方面,其中:
图1A和图1B示出包括堆叠在第二芯片之上的至少一个第一芯片的常规芯片布置的截面图。
图2示出芯片布置的截面图。
图3示出包括设置在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的填充材料的芯片布置的截面图。
图4示出包括第三半导体芯片的芯片布置的截面图。
图5示出包括至少一个通孔和金属化层的芯片布置的截面图。
图6示出用于制造芯片布置的方法。
图7A至图7I示出用于制造芯片布置的方法的过程流程。
具体实施方式
以下详细描述参照附图,通过举例说明,附图示出可实施本发明的具体细节和方面。充分详细地描述这些方面,以便使本领域的技术人员能够实施本发明。可利用其它方面,并且可进行结构、逻辑和电气变更,而没有背离本发明的范围。各个方面不一定相互排斥,因为一些方面能够与一个或多个其它方面相结合以形成新的方面。描述了结构或装置的各个方面,以及描述了方法的各个方面。可以理解,结合结构或装置所述的一个或多个(例如全部)方面可同样适用于方法,反过来也是一样。
词语“示范”在本文中用来表示“用作示例、实例或说明”。本文中描述为“示范”的任何方面或设计不一定被理解为相对其它方面或设计是优选或有利的。
本文中用来描述形成特征(例如位于一侧或表面“之上”的层)的词语“之上”可用来表示该特征,例如该层,可“直接在”所指侧或表面“上”形成,例如与所指侧或表面直接接触。本文中用来描述形成特征(例如位于一侧或表面“之上”的层)的词语“之上”可用来表示该特征,例如该层,可“间接在”所指侧或表面“上”形成,其中一个或多个附加层设置在所指侧或表面与所形成层之间。
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