[发明专利]形成用于图案化底层结构的掩膜层的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在结构上方形成包含多个分离的开口的图案化硬掩膜层，其中，该图案化硬掩膜层包含多个交叉线状特征；

在该图案化硬掩膜层上方形成图案化蚀刻掩膜，其曝露出至少一个，但非全部的该多个分离的开口；以及

透过该图案化蚀刻掩膜和在该图案化硬掩膜层中的该至少一个曝露出来的开口实行至少一个蚀刻制程以在该结构中定义开口。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该结构是绝缘材料层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该交叉线状特征是借由实行多个定向自组装制程操作所形成。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，至少部分的该交叉线状特征是借由实行定向自组装制程操作所形成。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该交叉线状特征以大约90度角彼此交叉。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该交叉线状特征以非正交的角度彼此交叉。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该分离的开口具有实质上矩形的结构。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该图案化硬掩膜层包含第一多个线状特征，其与第二多个线状特征交叉，其中，该第一多个线状特征和该第二多个线状特征是以不同的材料制成。

9.一种方法，包括：

在结构上方形成图案化硬掩膜层，其中，该图案化硬掩膜层包含第一多个线状特征，其与第二多个线状特征交叉，从而定义多个分离的开口，且其中，该第一多个线状特征和该第二多个线状特征是以不同的材料制成；

在该图案化硬掩膜层上方形成图案化蚀刻掩膜，其曝露出至少一个，但非全部的该多个分离的开口；以及

透过该图案化蚀刻掩膜和在该图案化硬掩膜层中的该至少一个曝露出来的开口实行至少一个蚀刻制程以在该结构中定义开口。

10.如权利要求9所述的电路组件，其特征在于，该交叉的线状特征以大约90度角彼此交叉。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该交叉的线状特征以非正交的角度彼此交叉。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该分离的开口具有实质上矩形的结构。

13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该交叉的线状特征是借由实行多个定向自组装制程操作所形成。

14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，至少部分的该交叉的线状特征是借由实行定向自组装制程操作所形成。

15.一种方法，包括：

在结构上方形成图案化硬掩膜层，该图案化硬掩膜层包括多个交叉线状特征，其定义具有实质上矩形的结构的多个分离的开口；

在该图案化硬掩膜层上方形成图案化蚀刻掩膜，其曝露出至少一个，但非全部的该多个分离的开口；以及

透过该图案化蚀刻掩膜和在该图案化硬掩膜层中的该至少一个曝露出来的开口实行至少一个蚀刻制程以在该结构中定义开口。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，该交叉线状特征以大约90度角彼此交叉。

17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，该交叉线状特征包含第一多个线状特征，其与第二多个线状特征交叉，其中，该第一多个线状特征和该第二多个线状特征是以不同的材料制成。

18.如权利要求15所述的方法，其特征在于，该交叉线状特征是借由实行多个定向自组装制程操作所形成。

19.如权利要求15所述的方法，其特征在于，至少部分的该交叉线状特征是借由实行定向自组装制程操作所形成。