[发明专利]光学掩膜板和激光剥离装置有效
申请号: | 201410090160.X | 申请日: | 2014-03-12 |
公开(公告)号: | CN103887157B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 史世明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 掩膜板 激光 剥离 装置 | ||
1.一种用于激光剥离装置的光学掩膜板,其特征在于,该光学掩膜板包括全透区、环绕该全透区的遮挡区,所述全透区允许具有预定波长的激光完全透过,所述遮挡区不允许所述具有预定波长的激光透过,所述光学掩膜板还包括过渡区,该过渡区位于所述全透区和所述遮挡区之间,且所述过渡区环绕所述全透区,所述过渡区允许所述具有预定波长的激光的一部分透过。
2.根据权利要求1所述的光学掩膜板,其特征在于,所述光学掩膜板包括多个所述全透区,每个所述全透区的周围都环绕有所述遮挡区。
3.根据权利要求1所述的光学掩膜板,其特征在于,所述遮挡区由金属材料制成,所述全透区为第一通孔。
4.根据权利要求1所述的光学掩膜板,其特征在于,所述全透区由透光材料制成,所述遮挡区由金属材料制成。
5.根据权利要求4所述的光学掩膜板,其特征在于,所述全透区由石英材料或玻璃制成。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的光学掩膜板,其特征在于,所述过渡区由金属材料制成,且所述过渡区上形成有多个直径在微米量级的第二通孔。
7.根据权利要求6所述的光学掩膜板,其特征在于,在所述过渡区中,从与所述全透区相邻的边缘至与所述遮挡区相邻的边缘,单位面积内所述第二通孔的数量逐渐减少。
8.根据权利要求1至5中任意一项所述的光学掩膜板,其特征在于,所述过渡区由具有预定透过率的材料制成,使得所述过渡区允许部分具有预定波长的激光透过。
9.根据权利要求1至5中任意一项所述的光学掩膜板,其特征在于,所述过渡区包括透明材料层和设置在所述透明材料层上的遮挡层,所述遮挡层上形成有多个直径在微米量级的第三通孔,所述透明材料层允许所述具有预定波长的激光透过,所述遮挡层上未设置所述第三通孔的部分不允许所述具有预定波长的激光透过。
10.根据权利要求9所述的光学掩膜板,其特征在于,在所述过渡区中,从与所述全透区相邻的边缘至与所述遮挡区相邻的边缘,单位面积内所述第三通孔的数量逐渐减少。
11.一种激光剥离装置,该激光剥离装置包括光学掩膜板和激光发射器,所述激光发射器能够发出具有预定波长的激光,其特征在于,所述光学掩膜板为权利要求1至10中任意一项所述的光学掩膜板,所述激光发射器能够在所述光学掩膜板的一侧朝所述光学掩膜板发射所述具有预定波长的激光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造