[发明专利]晶片检测系统、反应腔室及晶片检测方法

权利要求书

1.一种晶片检测系统，包括托盘，所述托盘的上表面上设置有用于承载所述晶片的片槽，且所述托盘的反射率与所述晶片的反射率不同，其特征在于，所述系统还包括：距离传感器和控制单元，其中：

所述距离传感器设置在所述片槽的正上方，且能够在所述片槽的正上方水平移动；

所述距离传感器对应待检测的片槽位置在移动过程中向所述托盘发送信号，并接收来自所述托盘或位于所述片槽中的晶片反射的反射信号，且将所述反射信号发送至所述控制单元；

所述控制单元根据所述晶片反射的反射信号判断反射距离是否等于标准距离，若不等于，则确定所述片槽中的所述晶片未放置准确；若等于，则驱动所述距离传感器移动预设长度，并在移动的过程中判断当前反射距离与所述标准距离是否相等，若等于，则确定所述片槽中的所述晶片放置准确；若不等于，确定所述片槽中的所述晶片未放置准确；

所述标准距离定义为所述晶片准确放置在所述片槽时所述距离传感器与所述晶片上表面之间的垂直距离。

2.根据权利要求1所述的晶片检测系统，其特征在于，所述预设长度为在所述距离传感器沿所述片槽径向水平移动的移动轨迹上自所述晶片的边界位置到下一个边界位置的长度。

3.根据权利要求1所述的晶片检测系统，其特征在于，所述预设长度为所述晶片的直径长度。

4.根据权利要求1所述的晶片检测系统，其特征在于，所述晶片检测系统，还包括旋转驱动装置，

所述旋转驱动装置用于驱动所述托盘沿其轴向旋转，以使每个所述片槽依次位于所述距离传感器的正下方。

5.根据权利要求1所述的晶片检测系统，其特征在于，所述距离传感器的数量和位置与所述片槽的数量和位置一一对应设置。

6.根据权利要求1所述的晶片检测系统，其特征在于，所述距离传感器自所述片槽的边沿的任意位置的正上方沿该片槽的径向水平移动。

7.一种反应腔室，其特征在于，包括晶片检测系统，所述晶片检测系统采用权利要求1-6任意一项所述的晶片检测系统，用于检测所述晶片在用于承载该晶片的片槽中是否放置准确。

8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述距离传感器安装在位于所述反应腔室的上盖上方的导轨上。

9.一种晶片检测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤S1，距离传感器自片槽的正上方水平移动，在其移动的过程中向托盘发送信号；

步骤S2，控制单元接收来自所述托盘或位于所述片槽中所述晶片反射的反射信号，并根据所述晶片反射的反射信号判断反射距离是否等于标准距离，若等于，则进入步骤S3；若不等于，则进入步骤S5；

步骤S3，所述控制单元驱动所述距离传感器移动预设长度，并在移动的过程中判断当前反射距离与标准距离是否相等，若等于，则进入步骤S4；若不等于，进入步骤S5；

步骤S4，确定所述片槽中的所述晶片放置准确；

步骤S5，确定所述片槽中的所述晶片未放置准确。

10.根据权利要求9所述的晶片检测方法，其特征在于，在所述步骤S1之前还包括：

步骤S0，驱动所述托盘旋转，以使需要检测的所述片槽位于所述距离传感器的正下方。