[发明专利]晶圆托架及包含该晶圆托架的工艺腔室

说明书

技术领域

本发明涉及半导体工艺，尤其涉及一种晶圆托架及包含该晶圆托架的工艺腔室。

背景技术

在半导体工艺中，晶圆的传输过程如下：采用静电吸盘（Chuck）将晶圆吸附后输送到下一道工序的腔室内的晶圆托架（Lifer）上，之后该腔室内的静电吸盘伸入托架之间，抬高晶圆脱离托架以进行该相应下一道工序。

现有的晶圆托架包括用于托举晶圆第一部分，此外，在某些工艺中，静电吸盘不提供吸附力或吸附力不足时，晶圆会脱离静电吸盘而发生移位，因而，上述晶圆托架还包括第二部分，用于对晶圆水平方向限位。

然而，上述托架在实际使用过程中，经常出现一道工序中，晶圆表面的各器件被加工程度并不均等，例如刻蚀工艺中，某些区域的刻蚀量较多，某些区域的刻蚀量较少，这造成器件的成品率较低。

有鉴于此，实有必要提供一种新的晶圆托架及包含该晶圆托架的工艺腔室，以解决上述技术问题。

发明内容

本发明解决的问题是提高器件的成品率。

为解决上述问题，本发明的一个方面提供一种晶圆托架，至少包括第一部分与第二部分，所述第一部分用于托举晶圆，所述第二部分用于对晶圆水平方向限位，其中，高于第一部分的第二部分自底部至顶部逐渐远离所述第一部分。

可选地，低于第一部分的第二部分自底部至顶部也逐渐远离所述第一部分。

可选地，所述晶圆托架呈U形状，所述第一部分与第二部分分别为U形的两侧壁。

可选地，所述第二部分的内壁为连接U形状底壁与侧壁的平面坡面。

可选地，所述第二部分的内壁为连接U形状底壁与侧壁的曲面坡面。

可选地，所述曲面为内凹曲面。

可选地，在一个腔室内，所述晶圆托架具有三个。

可选地，所述三个晶圆托架呈120度夹角。

可选地，在一个腔室内，所述托架呈首尾相连的圆形闭合结构。

本发明的另一方面提供一种工艺腔室，包含上述的晶圆托架。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：1）将晶圆托架的第二部分中，高于第一部分的该部分设置为自底部至顶部逐渐远离第一部分，使得晶圆在被下道工序的静电吸盘抬高时，不会因为静电吸盘的水平移位而将晶圆的某部分边缘架设在该第二部分上，相对于高于第一部分的第二部分自底部至顶部与第一部分的距离均等的情况，拉大了晶圆边缘与第二部分之间的距离，提高了对静电吸盘的水平移位的容忍度，使得晶圆表面能够水平贴附在静电吸盘的表面，从而晶圆表面各区域能得到均等的加工。

2）可选方案中，低于第一部分的第二部分自底部至顶部也逐渐远离所述第一部分，即第二部分整体自底部至顶部均逐渐远离第一部分，上述结构的第二部分易于加工。

3）可选方案中，所述晶圆托架呈U形状，所述第一部分与第二部分分别为U形的两侧壁，U形状的晶圆托架易于安装。

4）可选方案中，3）可选方案的第二部分的内壁为连接U形状底壁与侧壁的平面坡面或曲面坡面，晶圆在被下道工序的静电吸盘抬高时，若晶圆边缘磕碰到上述坡面，则晶圆边缘则可沿该平面坡面或曲面坡面滑下趋近水平，最终水平贴附在静电吸盘的表面。

5）可选方案中，4）可选方案的坡面为曲面坡面时，该曲面为内凹曲面，上述内凹曲面易于晶圆滑下趋近水平。

6）可选方案中，在一个腔室内，所述晶圆托架具有三个，即晶圆在三个点上被托举，三个点形成一个三角形，利用了三角形的稳定性，稳定地托举晶圆。

7）可选方案中，6）可选方案的三个晶圆托架呈120度夹角，由于晶圆为圆形状，因而，每间隔120度设置一个托举点，能在360度均等托举晶圆。

8）可选方案中，在一个腔室内，所述托架呈首尾相连的圆形闭合结构，即晶圆在360度均被托架托举。

附图说明

图1是本发明一个实施例的晶圆托架的俯视图；

图2是沿图1中的A-A线的剖视图；

图3是晶圆置于图2中的托架后的结构示意图；

图4是图3中的晶圆被静电吸盘抬高的结构示意图；

图5是晶圆置于本发明另一实施例的晶圆托架后被静电吸盘抬高的剖视图；

图6是晶圆置于本发明再一实施例的晶圆托架后被静电吸盘抬高的剖视图；

图7是本发明又一实施例的晶圆托架的俯视图。

具体实施方式