[发明专利]3DIC互连装置和方法

权利要求书

1.一种半导体器件的互连装置，包括：

第一半导体芯片，包括第一衬底、多个第一介电层和在所述第一衬底上方的所述第一介电层中形成的多个第一金属线；

第二半导体芯片，具有与所述第一半导体芯片的第一表面接合的表面，其中，所述第二半导体芯片包括第二衬底、多个第二介电层和在所述第二衬底上方的所述第二介电层中形成的多个第二金属线；

导电插塞，从所述第一半导体芯片的第二表面延伸至所述第二半导体芯片中的所述多个第二金属线中的一个；以及

多个内衬，插入在所述导电插塞和所述第一衬底之间，所述多个内衬中的至少一个不在所述导电插塞和所述多个第一介电层之间延伸，所述多个内衬包括第一内衬和第二内衬，所述第一内衬接触所述第一衬底，所述第二内衬接触所述第一内衬，所述第二内衬的最上表面不在所述第一内衬的最上表面之上延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的互连装置，其中，所述导电插塞具有延伸穿过所述第一衬底的第一宽度和延伸穿过所述多个第一介电层的第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度，从所述第一宽度到所述第二宽度的过渡形成凸缘。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的互连装置，其中，所述多个介电层中的至少一个沿着所述凸缘的表面延伸。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的互连装置，其中，所述导电插塞在所述第一半导体芯片中的多个金属线中的两个之间延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的互连装置，进一步包括位于所述导电插塞和所述多个第一介电层的一个或多个之间的至少一个介电内衬。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的互连装置，其中，所述导电插塞将所述第一半导体芯片中的所述多个第一金属线中的一个电连接至所述第二半导体芯片中的所述多个第二金属线中的一个。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的互连装置，其中，所述第一半导体芯片中的所述多个第一金属线中的一个具有凹槽。

8.一种形成半导体器件的互连装置的方法，包括：

提供第一芯片，所述第一芯片具有衬底和多个介电层，所述多个介电层具有形成在其中的金属化层；

将所述第一芯片的所述多个介电层的第一表面接合至第二芯片的表面；

形成从所述衬底的背面延伸至所述多个介电层的第一开口；

沿着所述第一开口的侧壁形成多个内衬；

形成从所述第一开口的底部延伸穿过所述多个介电层至所述第二芯片中的金属化层的第二开口；以及

在所述第一开口和所述第二开口中形成导电材料；

其中，形成所述多个内衬包括：

在所述衬底的背面上方和沿着所述第一开口的侧壁形成第一内衬；

在所述第一内衬上方形成第二内衬；以及

从所述第一内衬的最上表面去除所述第二内衬的至少一部分，从而使得间隔件型结构沿着所述第一开口的侧壁保留，所述间隔件型结构的最上表面不在所述第一内衬的最上表面之上延伸。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，使用覆盖蚀刻工艺至少部分地实施去除。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一内衬从所述第一开口的侧壁延伸至所述第二开口。

11.根据权利要求8所述的方法，进一步包括在所述导电材料和所述多个介电层之间形成另一内衬。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二开口延伸至所述衬底上的所述多个介电层中的焊盘，且延伸至所述衬底上的所述多个介电层中的焊盘之间，且延伸至形成在所述第二芯片的介电层中的焊盘。