[发明专利]触摸屏及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410086522.8 申请日: 2009-11-13
公开(公告)号: CN103927049A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 金钾泳;罗贤珉;洪赫振 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;G06F3/044;G06F3/045
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 许向彤;陈英俊
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 触摸屏 及其 制造 方法
【说明书】:

本申请是申请日为2009年11月13日、申请号为200980145573.0的题为“触摸屏及其制造方法”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种触摸屏及其制造方法。

背景技术

触摸屏是检测手指或触摸笔所靠近或所触摸的位置的设备。所述触摸屏可以安装在视频显示设备的屏幕上从而容易地输入信息。

触摸屏利用透明电极检测手指或笔的触摸输入。透明电极可以通过在诸如氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)的透明导电氧化膜上布线金属层来形成。

一般而言,使用印刷金属布线(wiring)并对金属布线进行干燥的丝网印刷技术在ITO膜上形成布线。

然而,问题在于根据现有技术的触摸屏布线过程很复杂。此外,根据现有技术的触摸屏布线过程会导致金属层的厚度很厚。如果金属层很厚,则会导致触摸屏的弹性变差及其粘附性降低的问题。

发明内容

本发明的一个实施例意在提供一种触摸屏及其制造方法,所述触摸屏能够提供极好的弹性并能简化制造过程。

在本发明的一个实施例中,提供一种触摸屏,包括:基板上的透明导电层;以及金属层,所述金属层包括直接沉积在所述透明导电层上的缓冲层和所述缓冲层上的导体层,其中所述缓冲层包括Ni、Ni-Cr、Sn和Mo中的至少任意一种。

在本发明的一些实施例中,所述基板包括挠性塑料膜,所述挠性塑料膜包括PET、PES、PC、PE、PI和压克力中的至少任意一种。

在本发明的一些实施例中,所述导体层包括Ag、Cu、Au和Al中的至少任意一种。

在本发明的一些实施例中,所述导体层包括电荷移动所经过的电极。

在本发明的一些实施例中,所述金属层和所述透明导电层之间的粘附性在0.95kgf/cm至0.98kgf/cm的范围之内。

在本发明的一些实施例中,所述金属层的表面电阻在1.10Ω/□至1.50Ω/□的范围之内。

在本发明的一些实施例中,所述缓冲层的厚度在所述导体层的厚度的1/8至1/10的范围内。

在本发明的一些实施例中,所述导体层直接沉积在所述缓冲层上。

在本发明的一些实施例中,所述缓冲层包括Mo,所述导体层包括Ag。

在本发明的另一个实施例中,提供一种触摸屏,包括:基板上的透明导电层;以及金属层,所述金属层包括直接沉积在所述透明导电层上的缓冲层和所述缓冲层上的导体层,所述金属层和所述透明导电层之间的粘附性在0.95kgf/cm至0.98kgf/cm的范围之内。

在本发明的一些实施例中,所述金属层的表面电阻在1.10Ω/□至1.50Ω/□的范围之内。

在本发明的一些实施例中,所述缓冲层包括Mo,所述导体层包括Ag。

在本发明的一些实施例中,所述导体层包括电荷移动所经过的电极。

在本发明的一些实施例中,所述缓冲层的厚度在所述导体层的厚度的1/8至1/10的范围内。

在本发明的另一个实施例中,提供基板上的透明导电层;以及金属层,所述金属层包括直接沉积在所述透明导电层上的缓冲层和所述缓冲层上的导体层,其中,所述金属层的表面电阻在1.10Ω/□至1.50Ω/□的范围之内。

在本发明的一些实施例中,所述缓冲层包括Mo,所述导体层包括Ag。

在本发明的一些实施例中,所述导体层包括电荷移动所经过的电极。

在本发明的一些实施例中,所述缓冲层的厚度在所述导体层的厚度的1/8至1/10的范围内。

有益效果

根据本发明的实施例,触摸屏及其制造方法能够提供优异的弹性并能简化制造过程。

附图说明

从结合附图对优选实施例进行的以下描述中,本发明的上述和其它目的和特征将变得明显。

图1是根据本发明的第一实施例的触摸屏的剖视图;

图2是根据本发明的第二实施例的触摸屏的剖视图;以及

图3是根据本发明的实施例的触摸屏的制造方法的流程图。

具体实施方式

在下文中,将参照附图详细描述根据本发明的实施例的触摸屏及其制造方法。然而,如果确定对相关的公知功能或组件的详细描述会使本发明的技术主题不清楚,则将省略这些详细描述。

图1是根据本发明的第一实施例的触摸屏的剖视图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410086522.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top