[发明专利]触摸屏及其制造方法有效
| 申请号： | 201410086522.8 | 申请日： | 2009-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103927049A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 金钾泳;罗贤珉;洪赫振 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041;G06F3/044;G06F3/045 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 触摸屏 及其 制造 方法 | ||
1.一种触摸屏，包括：
基板上的透明导电层；以及
金属层，所述金属层包括直接沉积在所述透明导电层上的缓冲层和所述缓冲层上的导体层，其中所述缓冲层包括Ni、Ni-Cr、Sn和Mo中的至少任意一种。
2.如权利要求1所述的触摸屏，其中，所述基板包括挠性塑料膜，所述挠性塑料膜包括PET、PES、PC、PE、PI和压克力中的至少任意一种。
3.如权利要求1所述的触摸屏，其中，所述导体层包括Ag、Cu、Au和Al中的至少任意一种。
4.如权利要求1所述的触摸屏，其中，所述导体层包括电荷移动所经过的电极。
5.如权利要求1所述的触摸屏，其中，所述金属层和所述透明导电层之间的粘附性在0.95kgf/cm至0.98kgf/cm的范围之内。
6.如权利要求1所述的触摸屏，其中，所述金属层的表面电阻在1.10Ω/□至1.50Ω/□的范围之内。
7.如权利要求1所述的触摸屏，其中，所述缓冲层的厚度在所述导体层的厚度的1/8至1/10的范围内。
8.权利要求1所述的触摸屏，其中，所述导体层直接沉积在所述缓冲层上。
9.权利要求1所述的触摸屏，其中，所述缓冲层包括Mo，所述导体层包括Ag。
10.一种触摸屏，包括：
基板上的透明导电层；以及
金属层，所述金属层包括直接沉积在所述透明导电层上的缓冲层和所述缓冲层上的导体层，
所述金属层和所述透明导电层之间的粘附性在0.95kgf/cm至0.98kgf/cm的范围之内。
11.如权利要求10所述的触摸屏，其中，所述金属层的表面电阻在1.10Ω/□至1.50Ω/□的范围之内。
12.权利要求10所述的触摸屏，其中，所述缓冲层包括Mo，所述导体层包括Ag。
13.如权利要求10所述的触摸屏，其中，所述导体层包括电荷移动所经过的电极。
14.如权利要求10所述的触摸屏，其中，所述缓冲层的厚度在所述导体层的厚度的1/8至1/10的范围内。
15.一种触摸屏，包括：
基板上的透明导电层；以及
金属层，所述金属层包括直接沉积在所述透明导电层上的缓冲层和所述缓冲层上的导体层，其中，所述金属层的表面电阻在1.10Ω/□至1.50Ω/□的范围之内。
16.如权利要求15所述的触摸屏，其中，所述缓冲层包括Mo，所述导体层包括Ag。
17.如权利要求15所述的触摸屏，其中，所述导体层包括电荷移动所经过的电极。
18.如权利要求15所述的触摸屏，其中，所述缓冲层的厚度在所述导体层的厚度的1/8至1/10的范围内。
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