[发明专利]半导体器件结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供绝缘体上硅结构，所述绝缘体上硅结构包括硅衬底、位于硅衬底第一表面上的埋氧层和位于埋氧层上的顶层硅；

在所述顶层硅内及表面形成半导体器件；

在形成半导体器件后，由硅衬底的第二表面起，刻蚀硅衬底至露出埋氧层，形成开口，所述第二表面与第一表面相对设置；

在所述开口中形成陷阱层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成开口的步骤包括：

在所述硅衬底的第二表面形成光刻胶；

图形化所述光刻胶以露出部分硅衬底，形成开口图形；

以光刻胶为掩膜，刻蚀硅衬底，形成开口。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成陷阱层的步骤包括：

在所述硅衬底的第二表面以及开口中形成所述陷阱层；

平坦化所述陷阱层，保留位于所述开口中的陷阱层。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述陷阱层的材料采用多晶硅或者非晶硅。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成陷阱层的步骤包括：使所述陷阱层将所述开口部分填充，所述开口在形成所述陷阱层后留有剩余空间。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，使所述陷阱层将所述开口完全填充。

7.根据权利要求5述的制作方法，其特征在于，形成陷阱层的步骤之后还包括：在所述陷阱层表面覆盖材料层，以填充开口的剩余空间。

8.根据权利要求7述的制作方法，其特征在于，所述材料层为二氧化硅材料层。

9.一种半导体器件结构，包括：

硅衬底；

埋氧层，位于所述硅衬底的第一表面；

顶层硅，位于所述埋氧层上；

半导体器件，位于顶层硅内部或表面；

其特征在于，还包括：

开口，贯穿硅衬底的第二表面且露出所述埋氧层；所述第二表面与第一表面相对设置；

陷阱层，位于开口内的埋氧层上。

10.根据权利要求9所述的半导体器件结构，其特征在于，所述开口中还包括材料层，所述材料层覆盖于所述陷阱层表面。