[发明专利]闪存单元的操作方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别涉及一种闪存单元的操作方法。

背景技术

闪存（flash memory）作为一种集成电路存储器件，由于其具有电可擦写存储信息的功能，而且断电后存储的信息不会丢失，因而被广泛应用于如便携式电脑、手机、数码音乐播放器等电子产品中。通常，依据闪存单元栅极结构的不同，闪存分为堆叠栅极闪存和分离栅极闪存两种类型。这两种闪存都需要将闪存单元以适合本身操作的阵列进行排布，每一闪存单元都用来储存单一位的数据。其中，分裂栅极闪存单元因为有效地避免了过擦除效应以及具有更高的编程效率而得到了广泛应用。

图1是现有的一种闪存单元M0的剖面结构示意图，所述闪存单元M0为双分离栅晶体管结构，包括两个对称分布的存储位，每个存储位存储一位数据。具体地，所述闪存单元M0包括：衬底100；位于所述衬底100上方的中间电极103；对称分布于所述中间电极103两侧的第一存储位和第二存储位。其中，所述第一存储位包括第一位线电极101、第一控制栅极104以及第一浮栅105；第二存储位包括第二位线电极102、第二控制栅极106以及第二浮栅107。所述第一位线电极101和所述第二位线电极102位于所述衬底100内部，所述第一控制栅极104、所述第一浮栅105、所述第二控制栅极106以及所述第二浮栅107位于所述衬底100上方。

多个图1所示的闪存单元成阵列排布形成闪存阵列，每个闪存单元的控制栅极、中间电极和位线电极分别连接于控制栅线、字线和位线。通过所述控制栅线、字线和位线在闪存单元的各个电极上加载不同的驱动电压，实现对所述第一存储位和所述第二存储位的读、写以及擦除操作。图2是所述闪存单元M0的电路图，所述闪存单元M0包括第一存储位M01和第二存储位M02。结合图1和图2，所述闪存单元M0的第一位线电极101连接第一位线BL1，所述闪存单元M0的第一控制栅极104连接第一控制栅线CG1，所述闪存单元M0的中间电极103连接字线WL，所述闪存单元M0的第二位线电极102连接第二位线BL2，所述闪存单元M0的第二控制栅极106连接第二控制栅线CG2。

现有技术中，对所述第一存储位M01和所述第二存储位M02进行擦除操作时，通过所述字线WL对所述中间电极103施加第一擦除电压，通过所述第一控制栅线CG1对所述第一控制栅极104施加第二擦除电压，通过所述第二控制栅线CG2对所述第二控制栅极106施加所述第二擦除电压，通过所述第一位线BL1对所述第一位线电极101施加第三擦除电压，通过所述第二位线BL2对所述第二位线电极102施加所述第三擦除电压。

对所述第一存储位M01进行编程操作时，通过所述字线WL对所述中间电极103施加第一编程电压，通过所述第一控制栅线CG1对所述第一控制栅极104施加第二编程电压，通过所述第二控制栅线CG2对所述第二控制栅极106施加第三编程电压，通过所述第一位线BL1对所述第一位线电极101施加第四编程电压，通过所述第二位线BL2对所述第二位线电极102施加编程电流；

对所述第二存储位M02进行编程操作时，通过所述字线WL对所述中间电极103施加所述第一编程电压，通过所述第一控制栅线CG1对所述第一控制栅极104施加所述第三编程电压，通过所述第二控制栅线CG2对所述第二控制栅极106施加所述第二编程电压，通过所述第二位线BL2对所述第二位线电极102施加所述第四编程电压，通过所述第一位线BL1对所述第一位线电极101施加所述编程电流。

对所述第一存储位M01进行读取操作时，通过所述字线WL对所述中间电极103施加第一读取电压，通过所述第一控制栅线CG1对所述第一控制栅极104施加第二读取电压，通过所述第二控制栅线CG2对所述第二控制栅极106施加第三读取电压，通过将所述第二位线BL2接地对所述第二位线电极102施加0V电压，通过所述第一位线BL1将所述第一位线电极101与读取电路连接；

对所述第二存储位M02进行读取操作时，通过所述字线WL对所述中间电极103施加所述第一读取电压，通过所述第一控制栅线CG1对所述第一控制栅极104施加所述第三读取电压，通过所述第二控制栅线CG2对所述第二控制栅极106施加所述第二读取电压，通过将所述第一位线BL1接地对所述第一位线电极101施加0V电压，通过所述第二位线BL2将所述第二位线电极102与读取电路连接。